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氮化镓(GaN)场效应晶体管随时准备在电压调节器及直流-直流电源应用替代硅功率器件。 与硅MOSFET器件相比,氮化镓晶体管的开关速度快很多及具有更低的导通电阻(RDS(on)),从而可以实现具有更高功效的功率电源,对我们来说是好的。如果你正在使用氮化镓器件设计功率电路,你必需理解器件的开关速度。
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EPC2105氮化镓半桥器件为系统设计师提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推动48 V转至12 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在10 A输出电流时实现高达接近98%效率,以及推动48 V转至1 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在14 A输出电流时实现84%效率。
宜普电源转换公司宣布推出80 V增强型单片式半桥氮化镓晶体管(EPC2105)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件,可以除去互连电感及印刷电路板上的空隙、提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2105最理想应用于高频直流-直流转换及推动从48 V直接转至1 V系统负载的高效单级转换的应用。
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In this installment of the ‘How to GaN’ series we will discuss a new family of eGaN FETs that is keeping Moore’s Law alive with significant gains in key switching figures of merit that widen the performance gap with the power MOFET in high frequency power conversion.
EEWeb
By: Alex Lidow
October, 2014
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EPC9118演示板展示采用具高频开关优势、电源电压在48 V或以上的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)可易于实现更小型及具更高效率的电源转换解决方案。
宜普电源转换公司推出全功能降压型功率转换演示电路-- EPC9118演示板,可支持30 V至60 V输入电压并转至5 V、 具20 A最高输出电流及400 kHz频率的降压转换器。它采用EPC2001 及EPC2015增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管(FET)及LTC3891降压控制器。这个降压转换器设计是电信、工业及医疗应用所需的配电解决方案的理想设计。
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根据美国市场研究公司The Information Network指出,碳化硅及氮化镓功率半导体市场于2011年至2017年的复合年均增长率将达63%及营收预测为5亿美元。
Compound Semiconductor
2014年10月
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宜普公司为功率系统设计师提供一种上升时间为2奈秒(ns)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的300 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2025)。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出300 V功率晶体管(EPC2025),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高效率及更高功率密度。受惠于更高开关速度的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗应用的诊断仪器、功率逆变器及照明应用的发光二极管等。
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在下一代功率晶体管当中,氮化镓(GaN)技术为可替代硅MOSFET器件的其中一种技术。 当硅技术在性能上已经达到它的极限时,氮化镓器件具更卓越的传导性能及更快速开关性能。Alex Lidow在本播客将讨论氮化镓与硅功率器件的差异。
Power Electronic TIPS
2014年9月
EPC2100氮化镓功率晶体管为系统设计师提供具更高效率及功率密度的全降压转换器系统在500 kHz、12 V转1.2 V、10 A时实现接近93%峰值效率,以及在25 A时效率可高于90.5%。
宜普电源转换公司宣布推出EPC2100- 第一个可供商用的增强型单片式半桥氮化镓晶体管。透过集成两个eGaN功率场效应晶体管形成单一元件可以去除互连电感及印刷电路板上的空隙。这样可以提高效率(尤其是在更高频率时)及功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。
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On September 3rd IEEE PELS will offer a webinar by Dr. Johan Strydom discussing the contribution of gallium nitride power transistors to meet the demanding system bandwidth requirements of envelope tracking applications.
EL SEGUNDO, Calif.— August 2014 — An Efficient Power Conversion Corporation (EPC) expert on the application of gallium nitride transistors in envelope tracking power circuit design will conduct a one-hour webinar sponsored by the IEEE Power Electronics Society (PELS) on September 3rd from 11:00 AM to 12:00 AM (EDT).
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本章展示在10 MHz频率开关、采用氮化镓场效应晶体管的硬开关降压转换器的结果及提供转换器功耗的细数。此外,我们将展示采用氮化镓场效应晶体管的转换器目前所取得无可匹敌的高频性能及如果要推动器件工作在更高频率时所面对的限制。
EEWeb
作者:Alex Lidow
2014年8月
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Intent on flooding power device markets with GaN-on-silicon FETs, Alex Lidow, EPC, talks to Compound Semiconductor about future market opportunities.
Compound Semiconductor
July, 2014
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Long talked about, wide bandgap gallium nitride-on-silicon (GaN-on-Si) transistors are now commercially available. They are being touted for replacing silicon-based MOSFETs, which are turning out to be inefficient for many high-performance power supply designs. Recently, several suppliers of GaN-on-Si-based HEMTs and FETs have emerged in the marketplace, among them Efficient Power Conversion (EPC). To expedite the evaluation of eGAN FETs for power supply designs transitioning from silicon MOSFETs to eGaN FETs, EPC has released several development boards in the last few years.
By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
July 15, 2014
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氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能,因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。
宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能,例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广阔应用。
全新氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及相关开发板
EPC2023 |
30 |
1.3 |
590 |
150 |
EPC9031 |
EPC9018 |
EPC2024 |
40 |
1.5 |
550 |
150 |
EPC9032 |
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高压氮化镓器件即将商用化,制造商终于可预期它的市场发展速度将非常迅猛
杂志:Compound Semiconductor
2014年7月
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本章将讨论我们设计的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)模块使得电源转换系统设计师很容易可对具超卓性能的氮化镓晶体管进行评估
EEWeb
作者:Alex Lidow
2014年6月
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由于氮化镓场效应晶体管具备卓越性能例如低输出电容、低输入电容、低寄生电感及尺寸短小,它是高度谐振并符合Rezence (A4WP)规格的无线电源传送系统的理想器件,可提高该系统的效率。
宜普电源转换公司宣布推出采用创新、高性能零电压开关( ZVS) D类放大器拓扑、支持无线电源转换应用的演示板:EPC9506 及EPC9507 演示板。该板为放大器(发射)演示板,使用宜普公司具高频开关性能的氮化镓晶体管,使得无线电源系统可实现超过75%效率。
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氮化镓器件于2020年的销售额预期可达差不多6亿美元并大约需要制造58万片6英寸晶圆。氮化镓器件的市场将于2016年起发展迅猛,至2020年的複合年均增长率达80%,这个预期是基于EV/HEV预计从2018至2019年开始采纳氮化镓得出。于2015年至2018年,电源供电/功率因数校正将成为主要市场并将最后占氮化镓器件销售总额 50%,届时氮化镓器件于车用市场将急起直追。
Yole Development公司
2014年6月
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Dr. Glaser will be creating benchmark power converter designs and assisting customers in the use of eGaN FETs® for high frequency, high performance power conversion systems
EL SEGUNDO, Calif.—June 2014 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Dr. John Glaser has joined the EPC engineering team as Director, Applications Engineering.
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