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国家知识产权局确认宜普公司功率器件专利的核心权利要求有效

国家知识产权局确认宜普公司功率器件专利的核心权利要求有效

根据国家知识产权局官网20204年4月2日的消息,宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)一件名为“增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(专利号ZL201080015388.2)的核心权利要求6、9、10、13、14、17、18、22-26在无效程序(案件编号:4W116775)中被维持有效。该件专利的无效请求人是英诺赛科(苏州)科技有限公司(以下简称英诺赛科公司)。

According to the information on the official website of the China National Intellectual Property Administration (CNIPA) on April 2, 2024, the key claims 6, 9, 10, 13, 14, 17, 18 and 22-26 of the Chinese patent titled “Enhancement mode GaN HEMT device and method for fabricating the same” (Patent No. ZL201080015388.2) owned by Efficient Power Conversion Corp (“EPC”) have been maintained valid during an invalidation procedure (case number: 4W116775), which was requested by the petitioner Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. (“Innoscience”).

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层叠的力量

层叠的力量

功率半导体广泛应用于电动出行的各个领域,根据电压和电流的要求,每个部分适合使用不同的技术,而新兴技术正在使得更小的系统得以实现。随着氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术的成熟和价格的下降,采用率正在增长,这些技术正越来越多地主导电动出行动力系统和电力系统的设计和开发。

电动出行工程
2024年3月
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氮化镓器件让您实现具成本效益的电动自行车、无人机和机器人

氮化镓器件让您实现具成本效益的电动自行车、无人机和机器人

基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统,其续航里程更长、精度更高、扭矩更大,而且同时降低了系统的总成本。

宜普电源转换公司(EPC) 宣布推出 EPC9193,它是使用 EPC2619 eGaN® FET 的三相BLDC电机驱动逆变器,具有14 V~65 V的宽输入直流电压范围和两种配置,分别为标准和高电流版本:

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专家在APEC 2024上就GaN和SiC发表意见

专家在APEC 2024上就GaN和SiC发表意见

在这段来自Power Electronics News的视频中,来自半导体公司的几位杰出发言者分享了关于氮化镓和碳化硅基功率器件的突破性发展见解。

氮化镓发言者回答了两个决定宽带隙未来的关键问题:

  1. 基板材料选择对于基于氮化镓的功率器件的重要性。他们详细阐述了这种选择如何影响器件性能、可靠性和可制造性,并讨论了研究人员如何解决与基板相关的挑战。
  2. 氮化镓器件在特定市场领域超越传统硅基解决方案,推动采用并揭示各自公司的技术方向。发言者包括:
    • 罗伯特·泰勒,德州仪器应用工程师/工业应用总经理
    • 迈克尔·德·鲁伊,EPC应用工程副总裁
    • 巴卢·巴拉克里什南,Power Integrations首席执行官

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EPC推出首款具有最低1 mOhm 导通电阻的GaN FET

EPC推出首款具有最低1 mOhm 导通电阻的GaN FET

EPC推出采用紧凑型QFN封装(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361),助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能 MPPT等应用实现更高的功率密度。

2024年2月27日—全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET,与EPC的上一代产品相比,其功率密度提高了一倍。

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使用适用于硅MOSFET的控制器和栅极驱动器的GaN FET

使用适用于硅MOSFET的控制器和栅极驱动器的GaN FET

氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 已经彻底改变了电力电子行业,提供了比传统硅 MOSFET 更小的尺寸、更快的开关速度、更高的效率和更低的成本等优势。然而,GaN 技术的快速发展有时超越了专用 GaN 门驱动器和控制器的发展。因此,电路设计师经常转向为硅 MOSFET 设计的通用门驱动器,这需要仔细考虑各种因素以确保最佳性能。

Bodo 的电力系统
2024年2月
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EPC GaN FET助力DC/DC转换器实现高功率密度和高效率基准

EPC GaN FET助力DC/DC转换器实现高功率密度和高效率基准

EPC GaN FET与Analog Devices驱动器和控制器相结合,为客户简化氮化镓基设计、提高其效率、降低散热成本、助力计算、工业和消费类应用的DC/DC转换器实现最高功率密度。

宜普电源转换公司(EPC )宣布推出采用 EPC GaN FET 和 Analog Devices, Inc. (ADI) 控制器的各种参考设计。

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EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流、 支持先进的汽车自动化

EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流、 支持先进的汽车自动化

宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司EPC)推出三款激光驱动器电路评估板,这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、的快速转换的GaN FET,以实现具备卓越高性能的激光雷达系统。

宜普公司EPC推出的三款评估板,分别是EPC9179EPC9181EPC9180,它们分别采用了75 A、125 A、231 A脉冲电流激光二极管驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET - EPC2252EPC2204AEPC2218A。它们比上一前代氮化镓器件的体积小30%,并且和更具成本效益。这些评估电路板专为长距离和短距离车载激光雷达系统而设计,通过提供多种可选的输入和输出值选项,从而更快完成加快评估对氮化镓基解决方案的评估的评估。

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宜普电源转换公司将在CES 2024展示基于氮化镓技术的消费电子应用场景– 电动出行、无人机、机器人及其他应用

宜普电源转换公司将在CES 2024展示基于氮化镓技术的消费电子应用场景–  电动出行、无人机、机器人及其他应用

EPC公司的氮化镓专家将在国际消费电子展(CES)上分享氮化镓技术如何增强消费电子产品的功能和性能

增强型氮化镓(eGaN®)FET和IC领域的全球领导者宜普电源转换公司(EPC)将在CES 2024展会展示其卓越的氮化镓技术如何为消费电子产品在功能和性能方面做出贡献 ,包括实现更高效率、更小尺寸和更低成本的解决方案。

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在农业应用中,GaN电机驱动逆变器的进步正在彻底改变无人机

在农业应用中,GaN电机驱动逆变器的进步正在彻底改变无人机

现代农业技术因无人机(UAV)无人机的整合而发生了革命性的变化,这些无人机是由低电压电池供电的飞机。较小的无人机用于地形测绘和植被监测,而较重、更坚固的型号则用于喷洒和分配肥料和杀虫剂,以及传播种子和饲料,载重可达50公斤。基于GaN的逆变器被证明适用于农业无人机,因为它们通过提高电机效率来延长电池寿命,这得益于具有正弦激励的更高PWM频率。除了效率考虑之外,更高的PWM频率还帮助减少直流链路的尺寸,从而减少逆变器的尺寸和重量,这对于轻型飞机至关重要。

Bodo’s Power Systems
2023年12月
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Efficient Energy Technology(EET)的SolMate选用EPC氮化镓器件,使效率倍增和延长了产品使用寿命

Efficient Energy Technology(EET)的SolMate选用EPC氮化镓器件,使效率倍增和延长了产品使用寿命

Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奥地利,是设计和生产创新、用于阳台的小型发电厂的先驱。EET公司选用了宜普电源转换公司(EPC)的增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管(EPC2204), 用于其新型SolMate®绿色太阳能阳台产品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之间实现了最佳折衷,这对于要求严格的硬开关应用至关重要,同时在紧凑的封装中实现100 V的漏-源击穿电压。这种紧凑型设计显着缩小了PCB的尺寸,保持较小的电流环路和最大限度地减少EMI。

EET公司结合了EPC的氮化镓器件和其SolMate MPPT充电转换器,以实现多种优势:效率损失减半和整体效率从96%提高到98%。转换器的体积缩减了70%、BOM和制造成本降低了 20%而同时降低了对散热的要求。此外,由于开关频率提高了10倍,因此无需使用易于引发问题的电解电容器,从而延长了转换器的使用寿命。

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采用芯片级封装的氮化镓器件热建模

采用芯片级封装的氮化镓器件热建模

与采用传统硅器件的转换器相比,采用氮化镓基高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有许多材料和性能优势,已广泛用于消费和工业用功率转换领域。氮化镓器件在更高的开关频率下提高了功率转换效率,进而实现更低的系统成本和更高的功率密度。随着功率密度的增加,散热分析和热建模变得至关重要。我们将在本文分享EPC的热量计算器。 EPC公司制造增强型 GaN HEMT 和集成电路,例如支持多种转换器的半桥器件。

Power Electronics News
2023年11月
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高效电力转换公司(EPC Space)的氮化镓(GaN)技术展示了极端的空间任务耐用性

高效电力转换公司(EPC Space)的氮化镓(GaN)技术展示了极端的空间任务耐用性

太空探索一直需要最先进的技术、可靠性和韧性。最新的电力电子突破——氮化镓(GaN)技术,作为颠覆者出现,为太空系统提供了优于传统硅MOSFET的卓越辐射耐受性和无与伦比的电气性能。在本文中,我们深入探讨了为什么GaN功率器件是太空中功率转换应用的终极选择,以及它们的抗辐射能力如何使其成为太空任务中极其强大的解决方案。

电子元件
2023年10月
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使用GaN FETs突破48 V到12 V LLC转换器中的5 kW/in³

使用GaN FETs突破48 V到12 V LLC转换器中的5 kW/in³

LLC 谐振转换器由于其高效率、高功率密度和良好的动态响应,已成为48V到12V中间转换的首选拓扑结构。过去已证明这种拓扑结构与GaN晶体管相结合所带来的出色性能。本文展示了EPC等最新一代GaN器件如何继续突破性能极限。

Bodo’s Power Systems
2023年11月
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EPC的100 V GaN FET助力实现更小的电机驱动器, 用于电动自行车、机器人和无人机

EPC的100 V GaN FET助力实现更小的电机驱动器, 用于电动自行车、机器人和无人机

基于氮化镓器件的EPC9194逆变器参考设计显着提高了电机驱动系统的效率、扭矩而同时使得单位重量功率(比功率)增加了一倍以上。该逆变器非常微型,可集成到电机外壳中,从而实现最低的电磁干扰、最高的密度和最輕的重量。

宜普电源转换公司宣布推出三相BLDC电机驱动逆变器参考设计(EPC9194)。它的工作输入电源电压范围为 14V ~60V,可提供高达60 Apk(40 ARMS)的输出电流。此电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种三相BLDC电机驱动器,包括电动自行车、电动滑板车、无人机、机器人和直流伺服电机。

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GaN in Space: Unlocking Efficiency and Performance in Satellite Systems

GaN in Space: Unlocking Efficiency and Performance in Satellite Systems

航天工业正在经历向“新空间”的变革,受到普遍连接需求的增加和创新商业模式出现的推动。这一变革的关键元素之一是氮化镓(GaN)技术在航天应用中的采用。由于其出色的抗辐射能力、高系统效率和轻量化特性,GaN具有巨大的潜力。

在与EE Times Europe的讨论中,Yole Group旗下Yole Intelligence的技术和市场分析师Taha Ayari和Aymen Ghorbel解释了新空间——低地球轨道(LEO)任务段,卫星的典型寿命为三到五年,可靠性要求较低——如何成为GaN应用的焦点。因此,电力GaN器件正在被用于各种卫星系统,包括DC/DC转换器、负载点系统、电机驱动和离子推进器。

EE Times Europe
2023年10月
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