太陽光発電用GaN

効率の向上、サイズと重さの削減、長寿命のサポート

太陽光発電用GaN

GaN FETとICは、その効率と信頼性の利点によって、太陽光発電用途での採用が拡大しています。GaNの高周波スイッチング能力によって、より正確な電力変換と、ソーラー・ パネルからの最大電力点の追跡が可能になり、エネルギー発電効率が向上します。加えて、電力損失が低減され、形状が小さくなったことで、太陽光発電用のインバータやコンバータがより小型・軽量になり、設置と保守が容易になります。GaNデバイスの熱特性の向上によって、さまざまな環境条件下でも安定した動作も保証され、太陽光発電システムの全体的な効率と信頼性がさらに向上し、最終的にはエネルギー生産が最大化され、コストが削減されます。

評価基板

太陽光発電用評価基板

近日公開!

• マイクロインバータのリファレンス・デザイン
•オプティマイザのリファレンス・デザイン

EPCのアプリケーション・チームは常に、新しいリファレンス・デザインに取り組んでいます。リストされている基板で満たされていない要件がある場合は、「GaNのエキスパートに聞」から当社に連絡し、あなたのアプリケーションについてさらに話し合ってください。

ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。

製品

太陽光発電向けに推奨するGaNデバイス

型番 狀況 構成 VDS
最大
VGS
最大
最大
RDS(on)
(mΩ)
@5VGS
QG
標準値
(nC)
QGS
標準値
(nC)
QGD
標準値
(nC)
QOSS
標準値
(nC)
ID (A) パルス ID
(A)
パッケージ
(mm)
EPC2218A Preferred シングル AEC 80 6 3.2 10.5 3.2 1.5 46 60 231 LGA 3.5 x 1.95 購入
uP1966E Preferred 85 BGA 1.6 x 1.6 購入
EPC2044 Preferred シングル 100 6 10.5 4.3 1.3 0.5 15 9.4 89 BGA 2.15 x 1.25 購入
EPC23102 Engr ハーフブリッジ構成ePower™パワーステージ 100 6.6 28 35 QFN 3.5 x 5 購入
EPC23102 Engr ハーフブリッジ構成ePower™パワーステージ 100 6.6 28 35 QFN 3.5 x 5 購入
EPC2204 Preferred シングル 100 6 6 5.7 1.8 0.8 25 29 125 LGA 2.5 x 1.5 購入
EPC2619 Preferred シングル 100 6 4.2 8.5 2.2 1 27 29 164 LGA 2.5 x 1.5 購入
EPC23101 Engr ハーフブリッジePower™チップ・セット 100 6 3.3 50 65 240 QFN 3.5 x 5 購入
EPC2306 Engr シングル 100 6 3.1 12.3 4.3 1.1 44 48 197 QFN 3 x 5 購入
EPC2088 Preferred シングル 100 6 3.2 12.5 4.4 1.4 47 60 231 LGA 3.5 x 1.95 購入
EPC2071 Preferred シングル 100 6 2.2 18 6 1.8 71 64 350 LGA 4.45 x 2.3 購入
EPC2302 Preferred シングル 100 6 1.8 23 8.9 2.3 85 101 408 QFN 3 x 5 購入
EPC2308 Engr シングル 150 6 6 10.6 3.8 1.4 50 48 157 QFN 3 x 5 購入
EPC2305 Preferred シングル 150 6 3 22 6.6 2.1 103 102 329 QFN 3 x 5 購入
EPC2059 Preferred シングル 170 6 9 5.7 1.3 0.9 35 24 102 LGA 2.8 x 1.4 購入
EPC2207 Preferred シングル 200 6 22 4.5 1.3 0.7 23 14 54 LGA 2.8 x 0.925 購入
EPC2215 Preferred シングル 200 6 8 13.6 3.3 2.1 69 32 162 LGA 4.6 x 1.6 購入
EPC2050 Preferred シングル 350 6 80 2.9 1.3 0.3 35 6.3 26 BGA 1.95 x 1.95 購入

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