アセンブリの資料

eGaN® FETは、電力変換効率において最先端の技術を利用可能にします。特性のこの新しいベンチマークに貢献したことの1つは、これらのFETがチップスケールのLGA(ランド・グリッド・アレイ)パッケージやBGA(ボール・グリッド・アレイ)のパッケージに収められていることです。これらのパッケージ形態は、基板スペース、浮遊インダクタンス、寄生抵抗を低減します。以下の資料は、これらのパッケージをプリント回路基板に信頼性高く実装する方法について説明しています。

EPCのeGaN FETは、フルブリッジ、ハーフブリッジ、バックコンバータ、昇圧コンバータ、PFC(力率改善)、フライバックコンバータ、フォワードコンバータ、LLCコンバータなど、様々なトポロジーで使うことが出来、これまでのシリコンパワーMOSFETと比べて特性を大幅に改善することが出来ます。