窒化ガリウム(GaN)HEMTとは?
高電子移動度トランジスタHEMT)は、バンド・ギャップの異なる2つの材料間の接合によって生成される2次元電子ガス(2DEG)を使うトランジスタです。窒化ガリウム(GaN)ベースのHEMTは、同等のシリコン・ベースのソリューションよりも高速なスイッチング速度、高い熱伝導率、低いオン抵抗という特徴があります。これらの特徴によって、回路内でGaNトランジスタと集積回路を使えば、効率が高まり、サイズが小型化でき、さまざまな電力変換システムのコストを削減できます。
100年以上も前のエレクトロニクス時代の夜明け以来、電源設計エンジニアは、加工されていない電気エネルギーを、制御された有用な電子の流れに素早く、効率的に変換する理想的なスイッチを求め続けています。最初は、真空管が登場しましたが、効率が良くありませんでした。それが発生する熱をみれば明らかです。さらに、サイズが大きいこととコストが高いことに加え、最終的な利用方法に制限がありました。次に、その後半の50年には、トランジスタが広く普及しました。サイズが小さいことと、より高い効率によって、トランジスタは「聖杯」として出現し、急速に真空管に取って代わり、真空管技術では達成できない巨大な新市場を創造しました。