LT8418 |
米アナログ・デバイセズ |
スマート統合ブートストラップ・スイッチを備えた100 VのハーフブリッジGaNドライバ |
EVAL-LT8418-BZ |
1EDN71x6U |
インフィニオン |
200 V、チップ・セット、4つのゲート駆動電流版 |
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2EDB7259Y |
インフィニオン |
絶縁型、デュアル、吐き出し5 A/吸い込み9 A 、3 kV |
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2EDR7259X |
インフィニオン |
絶縁型、デュアル、吐き出し5 A/吸い込み9 A、5.7 kV |
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NCP51810 |
米オン・セミコンダクター社 |
GaNパワー・スイッチ向け150 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ |
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NCP51820 |
米オン・セミコンダクター社 |
-3.5〜+650 V、調整可能なデッドタイム、デュアルLDO |
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LM5113-Q1 | 米テキサス・インスツルメンツ社 | 5 A、100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバ | EPC9078 |
LMG1205 | 米テキサス・インスツルメンツ社 | 1.2 A, 5 A, 100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバ | EPC9078 |
uP1966E |
台湾のuPI Semiconductor社 |
80 V eGaN FET用デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ |
EPC9078 |
LMG1210 | 米テキサス・インスツルメンツ社 | 200 V、1.5 A / 3Aでデッドタイム調整機能を備えたハーフブリッジGaNドライバ | EPCに問い合わせ |
Si827xGB-IM | 米スカイワークス・ソリューションズ | 絶縁型、自動車用、最大2.5 kVの絶縁、4A。プログラム可能なデッドタイム。 「GB」と「IM」の接尾辞を使います。 | EPC9084 |
LMG5200 | 米テキサス・インスツルメンツ社 | 80 VのGaNハーフブリッジのパワー段 | LMG5200POLEVM-10 |
ADuM4221A |
米アナログ・デバイセズ社 |
調整可能なデッドタイム、4 A出力を備えた絶縁型ハーフブリッジ・ドライバ |
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MPQ1918-AEC1 |
米Monolithic Power Systems |
100 V、1.6 A、5 A、ハーフブリッジGaNドライバ、AEC-Q100認定 |
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MP8699B |
米Monolithic Power Systems |
GaNパワー・スイッチ向け100 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ |
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STDRIVEG600 |
STマイクロエレクトロニクス |
600 Vのハーフブリッジ、ローサイド検出抵抗のグラウンド・オフセットが可能 |
EPC9167 |