Growing ecosystem for GaN Power Conversion at EPC

窒化ガリウム（GaN）FETのドライバとコントローラ

窒化ガリウムFETベースの電力変換システムは、シリコン・ベースの代替システムよりも高効率で、電力密度が高く、システム全体のコストを削減できます。これらの優れた特性によって、eGaN FETの性能をさらに強化するゲート・ドライバ、コントローラ、受動部品などのパワー・エレクトロニクス部品のエコシステムが増え続けています。

台湾uPI Semiconductor、米テキサス・インスツルメンツ、米マイクロチップ･テクノロジーなどの半導体サプライヤは、GaNベースの設計に対して拡大し続ける需要を満たすために、ドライバやコントローラを製品化し続けています。

以下は、eGaN FETと互換性のある既存のICのリストです。

GaNの利用法04a：設計の基本：ゲート駆動。 このビデオでは、高性能電力変換回路でGaNトランジスタを使うための基本的な手法について説明します。
 

降圧および 昇圧コンバ ータ向けコ ントローラ

型番 メーカー 機能 Input 概要 周波
MIC2128 米マイクロチップ・テクノロジー Buck 4.5 - 75 V 適応型オンタイム制御と外部ソフト・スタートを備えた75 Vの同期整流型降圧コントローラ 270 kHz - 800 kHz
LTC7890 米アナログ・デバイセズ 降圧 5 - 100 V デュアル、GaN専用 100 kHz - 3 MHz
LTC7891 米アナログ・デバイセズ 降圧 5 - 100 V シングル、GaN専用 100 kHz - 3 MHz
ISL81806 ルネサスエレクトロニクス 降圧 5 - 80 V デュアルまたは2相、GaN専用 100 kHz - 2 MHz
ISL81807 ルネサスエレクトロニクス 昇圧 5 - 80 V デュアルまたは2相、GaN専用 100 kHz – 2 MHz
MIC2132 米マイクロチップ・テクノロジー 降圧 5 - 75 V 2相、超高速過渡応答、最大8相までスタック可能 100 kHz – 1 MHz
RT6190 台湾Richtek Technology 降圧/昇圧 5 - 36 V 4-FET、双方向、降圧-昇圧、I2Cインタフェース 250 kHz - 1 MHz
LT8390A 米アナログ・デバイセズ 降圧/昇圧 5 - 60 V 4-FET, 降圧/昇圧 600 kHz - 2 MHz
LM5141 米テキサス・インスツルメンツ 降圧 5 - 65 V シングル 440 kHz - 2.2 MHz
LM5140-Q1 米テキサス・インスツルメンツ 降圧 5 - 65 V デュアル 440 kHz - 2.2 MHz
dsPIC33CK32MP102 米マイクロチップ・テクノロジー 降圧または昇圧 （ドライバ外付け） 100 MHzのシングル・コア、16ビットDSC 最大100 MHz（コア）
NCP8111 米オン・セミコンダクター 降圧 （ドライバ外付け） 3相、VR12.5-6、デジタル・コントローラ、SVIDおよびI2Cインタフェース 250 kHz − 5 MHz
LTC7800 米アナログ・デバイセズ 降圧 5 - 60 V シングル、低IQ、GaN 320 kHz - 2.25 MHz
MIC2103/4 米マイクロチップ・テクノロジー 降圧 5 - 75 V 適応型オンタイム制御 200 kHz - 600 kHz
ISL8117A ルネサスエレクトロニクス 降圧 5 - 60 V シングル 100 kHz - 2 MHz
TPS40400 米テキサス・インスツルメンツ 降圧 5 - 20 V 30 A, PMBus 200 kHz - 2 MHz
TPS53632G 米テキサス・インスツルメンツ ハーフブリッジ （ドライバ外付け） ハーフブリッジ、D-CAP+コントローラ、48 VのGaN DC/DCに最適化、I2C 300 kHz - 1 MHz

同期整流器向けコントローラ

型番 メーカー 概要 ゲート・ドライバ
UCD7138 米テキサス・インスツルメンツ社 同期整流器用コントローラ 内蔵
TEA1993TS オランダNXPセミコンダクターズ社 同期整流器用コントローラ 内蔵
TEA1995T オランダNXPセミコンダクターズ社 デュアル同期整流器用コントローラ 内蔵（デュアル）
TEA1998TS オランダNXPセミコンダクターズ社 同期整流器用コントローラ 内蔵

ローサイド・ゲート・ドライバ

型番 メーカー 概要 応用例
1EDB7275F 独インフィニオン・テクノロジーズ 絶縁型、シングル、吐き出し5 A/吸い込み9 A、3 kV ---
UCC27611 米テキサス・インスツルメンツ社 4 A/6 A、高速5 V駆動の最適化された単一ゲート・ドライバ EPC9081
LMG1020 米テキサス・インスツルメンツ社 5 V、7 A / 5 Aで速度60 MHz / 1nsローサイドGaNドライバ EPC9144
uP1964 台湾のuPI Semiconductor社 エンハンスメント・モードGaNトランジスタ向け単一チャネルのゲート・ドライバ ---
IXD_604 米IXYS社 4 Aでデュアルのローサイド超高速ドライバ ---
LMG1025-Q1 米テキサス・インスツルメンツ社 狭パルス用途向けの5 Vの UVLO付き車載用7-A / 5-Aシングル・チャネル・ローサイド・ゲート・ドライバ ---
ADuM4120ARIZ 米アナログ・デバイセズ社 2 A出力の単一チャネル絶縁型ドライバ ---
ADuM4121ARIZ 米アナログ・デバイセズ社 2 Aの単一チャネル絶縁型ドライバ ---

ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

型番 メーカー 概要 応用例
LT8418 米アナログ・デバイセズ スマート統合ブートストラップ・スイッチを備えた100 VのハーフブリッジGaNドライバ EVAL-LT8418-BZ
1EDN71x6U インフィニオン 200 V、チップ・セット、4つのゲート駆動電流版 ---
2EDB7259Y インフィニオン 絶縁型、デュアル、吐き出し5 A/吸い込み9 A 、3 kV ---
2EDR7259X インフィニオン 絶縁型、デュアル、吐き出し5 A/吸い込み9 A、5.7 kV ---
NCP51810 米オン・セミコンダクター社 GaNパワー・スイッチ向け150 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ EPCに問い合わせ
NCP51820 米オン・セミコンダクター社 -3.5〜+650 V、調整可能なデッドタイム、デュアルLDO EPCに問い合わせ
LM5113-Q1 米テキサス・インスツルメンツ社 5 A、100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバ EPC9078
LMG1205 米テキサス・インスツルメンツ社 1.2 A, 5 A, 100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバ EPC9078
uP1966E 台湾のuPI Semiconductor社 80 V eGaN FET用デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ EPC9078
LMG1210 米テキサス・インスツルメンツ社 200 V、1.5 A / 3Aでデッドタイム調整機能を備えたハーフブリッジGaNドライバ EPCに問い合わせ
Si827xGB-IM 米スカイワークス・ソリューションズ 絶縁型、自動車用、最大2.5 kVの絶縁、4A。プログラム可能なデッドタイム。
「GB」と「IM」の接尾辞を使います。		 EPC9084
ADuM4221A 米アナログ・デバイセズ社 調整可能なデッドタイム、4 A出力を備えた絶縁型ハーフブリッジ・ドライバ ---
MPQ1918-AEC1 米Monolithic Power Systems 100 V、1.6 A、5 A、ハーフブリッジGaNドライバ、AEC-Q100認定 EPCに問い合わせ
MP8699B 米Monolithic Power Systems GaNパワー・スイッチ向け100 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ EPCに問い合わせ
STDRIVEG600 STマイクロエレクトロニクス 600 Vのハーフブリッジ、ローサイド検出抵抗のグラウンド・オフセットが可能 EPC9167
MP18871 MPS 絶縁型、PWM入力制御、ハイサイド／ローサイドのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ EPCに問い合わせ
MP18851 MPS 絶縁型、デュアル入力制御、独立したデュアル・チャネルのゲート・ドライバ EPCに問い合わせ
MP18831 MPS 絶縁型、デュアル入力制御、ハイサイド／ローサイドのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ EPCに問い合わせ

高信頼性用途向けIC

型番 メーカー 概要 機能
FBS-GAM01P-C-PSE EPC Space 単一出力のeGaNゲート・ドライバ・モジュール ゲート・ドライバ
FBS-GAM02P-C-PSE EPC Space 50 Vの耐放射線特性を強化した高速多機能Power eGaN® HEMTドライブ HEMTドライバ
FBS-GAM02-P-R50 EPC Space 50 V / 10 Aの耐放射線特性を強化した多機能パワー・モジュール パワー段
ISL70040SEH ルネサスエレクトロニクス 耐放射線特性を強化したローサイドGaN FETドライバ ゲート・ドライバ
TPS7H6003-SP 米テキサス・インスツルメンツ社 耐放射線特性、QMLV、200V、ハーフブリッジ GaN ゲート ドライバ ゲート・ドライバ