太陽光発電用GaN：太陽光発電用途における窒化ガリウム

GaN FETとICは、その効率と信頼性の利点によって、太陽光発電用途での採用が拡大しています。GaNの高周波スイッチング能力によって、より正確な電力変換と、ソーラー・パネルからの最大電力点の追跡が可能になり、エネルギー発電効率が向上します。加えて、電力損失が低減され、形状が小さくなったことで、太陽光発電用のインバータやコンバータがより小型・軽量になり、設置と保守が容易になります。GaNデバイスの熱特性の向上によって、さまざまな環境条件下でも安定した動作も保証され、太陽光発電システムの全体的な効率と信頼性がさらに向上し、最終的にはエネルギー生産が最大化され、コストが削減されます。

産業用

評価基板

太陽光発電用評価基板

近日公開！

• マイクロインバータのリファレンス・デザイン
•オプティマイザのリファレンス・デザイン

EPCのアプリケーション・チームは常に、新しいリファレンス・デザインに取り組んでいます。リストされている基板で満たされていない要件がある場合は、「GaNのエキスパートに聞」から当社に連絡し、あなたのアプリケーションについてさらに話し合ってください。

ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。

製品

太陽光発電向けに推奨するGaNデバイス

型番	狀況	構成	V_DS 最大	V_GS 最大	最大 R_DS(on) (mΩ) @5V_GS	Q_G 標準値 (nC)	Q_GS 標準値 (nC)	Q_GD 標準値 (nC)	Q_OSS 標準値 (nC)	I_D (A)	パルス I_D (A)	パッケージ (mm)
EPC2218A	Preferred	シングル AEC	80	6	3.2	10.5	3.2	1.5	46	60	231	LGA 3.5 x 1.95	購入
uP1966E	Preferred		85									BGA 1.6 x 1.6	購入
EPC2044	Preferred	シングル	100	6	10.5	4.3	1.3	0.5	15	9.4	89	BGA 2.15 x 1.25	購入
EPC23102	Engr	ハーフブリッジ構成ePower™パワーステージ	100		6.6				28	35		QFN 3.5 x 5	購入
EPC23102	Engr	ハーフブリッジ構成ePower™パワーステージ	100		6.6				28	35		QFN 3.5 x 5	購入
EPC2204	Preferred	シングル	100	6	6	5.7	1.8	0.8	25	29	125	LGA 2.5 x 1.5	購入
EPC2619	Preferred	シングル	100	6	4.2	8.5	2.2	1	27	29	164	LGA 2.5 x 1.5	購入
EPC2306	Engr	シングル	100	6	3.8	11	4.1	1.1	41	48	197	QFN 3 x 5	購入
EPC23101	Engr	ハーフブリッジePower™チップ・セット	100	6	3.3				50	65	240	QFN 3.5 x 5	購入
EPC2088	Preferred	シングル	100	6	3.2	12.5	4.4	1.4	47	60	231	LGA 3.5 x 1.95	購入
EPC2071	Preferred	シングル	100	6	2.2	18	6	1.8	71	64	350	LGA 4.45 x 2.3	購入
EPC2302	Preferred	シングル	100	6	1.8	23	8.9	2.3	85	101	408	QFN 3 x 5	購入
EPC2308	Engr	シングル	150	6	6	10.6	3.8	1.4	50	48	157	QFN 3 x 5	購入
EPC2305	Engr	シングル	150	6	3	21	6.3	2.6	105	102	329	QFN 3 x 5	購入
EPC2059	Preferred	シングル	170	6	9	5.7	1.3	0.9	35	24	102	LGA 2.8 x 1.4	購入
EPC2207	Preferred	シングル	200	6	22	4.5	1.3	0.7	23	14	54	LGA 2.8 x 0.925	購入
EPC2215	Preferred	シングル	200	6	8	13.6	3.3	2.1	69	32	162	LGA 4.6 x 1.6	購入
EPC2050	Preferred	シングル	350	6	80	2.9	1.3	0.3	35	6.3	26	BGA 1.95 x 1.95	購入