GaN First Time Right™ 設計プロセス
2. 適切なデバイスを選択

あなたのアプリケーションに適したデバイスをいくつか特定したら、GaN FETサーマル・カリキュレータを使って、それらが熱環境で動作するかを評価できます。GaN FETサーマル・カリキュレータを使うと、損失を決定した後、熱ソリューションを最適化できます。

EPCのGaN FETとICは、チップスケール・パッケージ（CSP）および、リードなしのプラスチック・ クワッド・フラット（ PQFN：Plastic Quad Flat No-Lead）・パッケージで提供されます。CSPとPQFNのどちらを選択するかは、アプリケーションの特定の要件によって異なります。CSPは、サイズに制約があり、高電力密度の用途に適しています。PQFN パッケージは、高性能と製造の容易さのバランスを提供します。

チップスケール・パッケージの利点

• サイズとスペース効率
• 寄生容量とインダクタンスの低減
• チップの全側面からの効率的な放熱
• eGaN^® FETと集積回路の アセンブリ

リードなしのプラスチック・クワッド・フラットの利点

• シンプルな製造
• 低い熱抵抗
• フットプリントの互換性
• PQFN封止GaNデバイスの信頼性高いアセンブリのためのはんだステンシル設計のガイドライン

適切なデバイスを選択するときには、製品の信頼性が重要な考慮事項となります。eGaN^®デバイスは2010年3月から量産されており、研究室でのテストと大量のユーザーのアプリケーションの両方で非常に高い信頼性が実証され、フィールドでの優れた信頼性記録を達成しています。

EPCは、広範な故障するまでのテストの信頼性プログラムを用意しており、これらの調査結果を定期的に公表しています。最新の信頼性レポートについては、信頼性資料のページをご覧ください。

信頼性に関する主なトピックを取り上げます：

• ゲート・ストレスとドレイン・ストレスの物理ベースの寿命モデル
• 安全動作領域
• 短絡耐性
• 機械的応力
• 熱機械応力
• アプリケーション固有のデバイスの寿命を正確に予測するための故障するまでのテスト手法