AC/DC変換

AC/DC電源

GaNのスイッチング損失が小さいため、シリコン・ベースの設計と比べて、より高いスイッチング周波数とより高い電力密度が得られます。これによって、より小型で軽量な設計を提供するより小型の受動部品の利用が可能になります。

GaN FETとICは、サイズが小さいにもかかわらず、シリコンに比べて優れた熱特性が得られます

	型番	構成	V_IN	V_OUT	l_OUT (A)	F_SW (kHz)	搭載製品
	PMP20978	高電圧 GaN FET を搭載した高効率、高電力密度 1kW 共振コンバータのリファレンス・デザイン	390 V	48 V	21 A		EPC2033	Contact TI

EPCのアプリケーション・チームは常に、新しいリファレンス・デザインに取り組んでいます。リストされている基板で満たされていない要件がある場合は、「GaNのエキスパートに聞」から当社に連絡し、あなたのアプリケーションについてさらに話し合ってください。

ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。

型番	狀況	構成	V_DS 最大	V_GS 最大	最大 R_DS(on) (mΩ) @5V_GS	Q_G 標準値 (nC)	Q_GS 標準値 (nC)	Q_GD 標準値 (nC)	Q_OSS 標準値 (nC)	I_D (A)	パルス I_D (A)	パッケージ (mm)
EPC2371	Engr	シングル	25	6		17	5	2	18	88	412	QFN 3.3 x 2.6	EPCに問い合わせ
EPC2378	Preferred	シングル	25	6	0.5	34	10.4	1.6	26	101	699	QFNb 3.3 x 3.3	EPCに問い合わせ
EPC2306	Preferred	シングル	100	6	3.1	12.3	4.3	1.1	44	63	197	QFN 3 x 5	購入
EPC2302	Preferred	シングル	100	6	1.8	23	8.9	2.3	85	133	408	QFN 3 x 5	購入
EPC2367	Preferred	シングル	100	6	1.5	17	5.3	2.4	54	101	420	QFN 3.3 x 3.3	購入
EPC2361	Preferred	シングル	100	6	1	28	8.5	3.8	90	133	697	QFN 3 x 5	購入
EPC2305	Preferred	シングル	150	6	3	22	6.6	2.1	103	133	329	QFN 3 x 5	購入
EPC2307	Preferred	シングル	200	6	10	10.1	3.5	1.2	58	63	130	QFN 3 x 5	購入