uP1966E:eGaN® FET用80 Vのハーフ・ブリッジのゲート・ドライバ

機能

  • 0.4Ω/0.7Ωのプルダウン/プルアップ抵抗
  • 高速伝搬遅延(20 ns、標準値)
  • 速い立ち上がり時間と降下時間(8 ns / 4 ns、標準値)
  • オン/オフ時能力の調整可能な出力
  • CMOS互換の入力論理(電源電圧に依存しない)
  • 電源電圧入力の低電圧ロックアウト
uP1966E: 85 V Dual-Channel Gate Driver for eGaN FETs
チップ・サイズ: 1.6 mm x 1.6 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • 絶縁型DC-DCコンバータ
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流
  • LiDAR/パルス電力
  • POL(負荷点)コンバータ
  • D級オーディオ
  • LED照明
ステータス:アクティブ
することを許可されています。アジアでのuP1966Eのサポートについては、台湾upi semiconductorにお問い合わせください
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