“如何使用氮化鎵器件”教程系列

宜普電源轉換公司的“如何使用氮化鎵器件”教程系列專為加快您的學習曲線而設,幫助您瞭解並探索高性能氮化鎵功率電晶體的技術、原理及實際應用。

教程單元

HTG01 簡介 – 材料的比較HTG01 簡介 – 材料的比較
本單元首先介紹氮化鎵技術的基礎知識 - 為什麼氮化鎵是一個這麼好的半導體材料?

HTG02簡介 – 性能特性HTG02簡介 – 性能特性
增強型氮化鎵電晶體的性能如何轉化為比日益陳舊的功率MOSFET更為優勝的電學特性。

HTG03 設計範例 – 硬開關應用HTG03 設計範例 – 硬開關應用
在硬開關應用採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的優勢

HTG04 設計範例 – 軟開關應用HTG04 設計範例 – 軟開關應用
在軟開關應用採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的優勢

HTG05 設計基礎 – 柵極驅動器HTG05 設計基礎 – 柵極驅動器
氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)及目前解決方案對柵極驅動器的要求

HTG06 – 設計基礎 – 版圖HTG06 – 設計基礎 – 版圖
功率電晶體的封裝技術的演進及版圖技術如何使得工程師可從eGaN FET所使用的低電感LGA封裝取得最大優勢

HTG07 設計基礎 – 管理死區時間HTG07 設計基礎 – 管理死區時間
認識死區時間對性能的影響以及如何管理死區時間從而在實際應用中發揮eGaN FET的最高性能

HTG08 設計基礎 – 熱管理HTG08 設計基礎 – 熱管理
認識熱管理技術可在實際應用中實現eGaN FET的最高性能

HTG09 設計基礎 – 測量HTG09 設計基礎 – 測量
測量eGaN FET的方法

HTG10 設計基礎 – 原型HTG10 設計基礎 – 原型
把標準開發板轉為可用的原型的步驟

HTG11 展望未來HTG11 展望未來
氮化鎵(GaN)何去何從?