在某些情況下，設計人員可能希望使用通用閘極驅動器或控制器。這通常是可能的（例如EPC9141–48 V/12 V、10 A降壓轉換器），但有幾點需要注意及研究，包括：
- 高側自舉電壓“鉗位”- 用於低側 FET 反向電流傳導（反向傳導電壓高達 2.5V，可以將自舉電容器充電至超過7V），用於自舉電源驅動的半橋驅動器。
- EPC eGaN FET應以5.0至5.5 V的開啟電壓驅動，但不得低於4.5 V，關閉電壓為0 V。因此，應檢查驅動器欠壓鎖定（UVLO），並建議將其設置在禁用為3.6 V和啟用為4.0 V的範圍內。
- 由於GaN元件的開關非常快，因此閘極驅動器應該能够承受如此高的dv/dt – 建議大於100 V/ns。
- - 最小死區時間應足够短促，以最大限度地減少死區時間的功耗，最好在20-40ns 範圍內。 請參看優化死區時間以實現最大效率
- - 可能需要與下方FET並聯的小型、低成本肖特基二極體。有關實列，請参看EPC9141–48 V/12 V、10 A 降壓轉換器。
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