EPC91128–EPC91131評估板支援最高29 A_RMS相電流，可加快BLDC逆變器開發。

加州埃爾塞貢多訊 – 2026年6月4日 – 增強型氮化鎵（eGaN^®）功率元件領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）今日宣布推出EPC91128、EPC91129、EPC91130和EPC91131評估板。這些評估板是小型化、高性能的三相BLDC馬達驅動逆變器平台，旨在加快採用GaN技術的新一代馬達控制系統開發。

基於GaN的設計為新一代AI電源實現97%滿載效率

加州埃爾塞貢多 – 2026年6月1日 – Efficient Power Conversion（EPC）公布了其EPC91123評估板的更多詳細資訊。這是一款800 VDC至12.5 VDC、6 kW隔離式轉換器，旨在支援新一代AI資料中心電源架構。作為NVIDIA MGX™ AI Factory生態系統的貢獻者，EPC提供先進的GaN電源轉換解決方案，旨在支援新興的800 VDC伺服器架構，為新一代AI基礎設施實現更高功率密度、更高效率和可擴充的機架級供電。

Mouser to Distribute EPC’s Latest GaN Devices for High-Efficiency Power Designs

EL SEGUNDO, Calif. – May 18,  2026 — Efficient Power Conversion (EPC), the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (eGaN®)-based power management solutions, offering GaN devices spanning 15 V to 350 V, today announced a global distribution agreement with Mouser Electronics, Inc., the authorized global distributor with the newest semiconductors and electronic components. This new partnership will see Mouser Electronics distribute EPC’s complete portfolio of  eGaN® FETS and ICs.

緊湊型馬達驅動器與轉換器可支援人形機器人、無人機與電池供電工具。從 800 V 到負載點的高功率密度 DC-DC 轉換器採用 EPC 最新一代 GaN 元件。

加州埃爾塞貢多 - 2026 年 5 月 13 日 — Efficient Power Conversion (EPC)，作為增強型氮化鎵（GaN）功率解決方案的全球領導者，將於 2026 年 PCIM Europe 展會展示公司面向人形機器人、無人機與緊湊型電氣化運動系統的最新一代 GaN 技術。該展會將於 2026 年 6 月 9 日至 11 日在德國紐倫堡舉行，展位位於 9 號館 304 號展位。展會期間，EPC 將展示其第 7 代 GaN 平台如何為下一代智慧運動系統與 AI 電源傳輸實現緊湊、可量產的電源架構。這些元件可提供更高的切換頻率、更低的損耗與更緊湊的佈局，進而提升機器人運動控制中的效率與整合度。

EPC9186HC2與EPC9186HC3評估平台利用EPC2361 eGaN® FET技術，實現高達150 Arms的高電流BLDC控制

加州艾爾塞岡多 – 2026年4月14日 – 高效能功率轉換(EPC)，全球增強模式氮化鎵(eGaN^®)功率元件的領導者，今天推出了EPC9186HC2與EPC9186HC3評估板，這兩個高性能的三相BLDC馬達驅動逆變器平台，專為包括機器人、工業自動化、輕型電動車、電動滑板車、叉車、農業機械、電池動力移動系統和高功率無人機等應用而設計。支持高達5 kW的馬達驅動系統，這些板卡使工程師能夠評估基於100 V EPC2361 eGaN® FET技術的緊湊型、高效率逆變器架構。

ePower™ Stage IC 在故障情況下提供快速關斷功能，支援連續 100% 工作週期運行，並提供單輸入接腳 PWM 選項，簡化多軸設計

加州埃爾塞貢多 – 2026年4月2日 – Efficient Power Conversion（EPC，宜普電源轉換公司），增強型氮化鎵（eGaN®）功率裝置的領導者，推出了新一代 100 V 整合式 GaN 功率級 IC - EPC23108、EPC23109、EPC23110 和 EPC23111 - 面向高性能運動和電源系統，例如人形機器人、無人機以及其他緊湊型電池供電平台。這些裝置旨在簡化實作，並提高實際環境中的運行穩健性，同時保留整合式 GaN 技術典型的效率和功率密度優勢。

50 A_RMS 三相逆變器平台，建基於第七代 Gen-7 EPC2366 eGaN® 功率晶體管，在 APEC 的 EPC 展位展示

德州聖安東尼奧 - 2026年3月23日 - 在 2026 年 APEC 展會上，功率轉換效率領導者 Efficient Power Conversion (EPC) 推出了EPC91121 馬達驅動逆變器評估板，此板建基於第七代EPC2366 40 V eGaN® 功率晶體管，並在公司的展位（#1935）展示該平台。

縮小實驗室生成的可靠性測試與實際任務剖面之間的差距

加州埃爾塞貢多 – 2026年3月19日 – Efficient Power Conversion（EPC），增強型氮化鎵（eGaN^®）功率元件的全球領導者，今日宣布發布其第18階段可靠性報告，為eGaN元件可靠性提供新的見解。該報告在以往工作的基礎上，縮小實驗室生成的可靠性測試與真實世界任務剖面下元件性能之間的差距。報告引入了新的方法，可在應用特定應力條件下更好地預測元件壽命；這些方法是在與客戶密切合作的基礎上形成，並由同行評審研究和國際會議發表成果提供支持。

100V GaN 基礎的逆變器參考設計，提供50 ARMS相電流、集成感測和高達150 kHz的PWM操作。

EL SEGUNDO，加利福尼亞州 – 2026年3月12日 – 高效能功率轉換（EPC），增強模式氮化鎵（eGaN^®）功率元件的全球領導者，今天宣布推出 EPC91202 評估板，這是一款完整的三相 BLDC 馬達驅動逆變器，旨在加速高效率馬達驅動應用的開發，應用領域包括機器人技術、電動移動性、無人機、工業自動化和電池供電系統。

為 AI 計算與下一代機器人提供可擴展電源解決方案

加利福尼亞州埃爾塞貢多 — 2026 年 2 月 26 日 — 增強型氮化鎵（eGaN^®）功率元件領域的全球領導者 Efficient Power Conversion（EPC）將於 2026 年應用電力電子會議（APEC 2026） 上展示其面向 AI 基礎設施與機器人應用的最新一代 GaN 技術。展會期間，EPC 將重點介紹第 7 代 GaN 技術及高度整合的 GaN IC 如何在高密度運算與下一代機器人系統中實現可擴展部署，使電源架構從展示平台邁向量產級應用，展位號 #1935。於展位現場，EPC 工程師將舉辦一系列技術演講，內容涵蓋系統架構、可靠性方法以及應用實現。

整合式 GaN 功率級，具備板載控制、感測與通訊功能，在 32 mm 圓形設計中可提供高達 20 A_RMS，適用於空間受限的機器人應用。

加利福尼亞州埃爾塞貢多（EL SEGUNDO）– 2026 年 2 月 23 日 – 增強型氮化鎵（eGaN®）功率元件領域的全球領導者 Efficient Power Conversion（EPC）今日宣布推出 EPC91122，這是一款高效能三相 BLDC 馬達驅動逆變器評估板，專為人形機器人關節應用而設計。該產品採用 EPC 高度整合的 EPC33110 三相 ePower™ Stage 模組，在超緊湊外形尺寸下可提供高達 20 A_RMS（28 A_peak）的相電流，專為空間受限的機器人關節最佳化設計，並整合完整馬達驅動逆變器所需的所有關鍵功能，包括微控制器、馬達軸角度感測器、輔助電源以及高精度電壓與電流感測功能。

EPC 的 GaN 技術強化瑞薩在高出貨量消費性電子與 AI 電源市場的競爭力。

美國加州埃爾塞貢多 – 2026 年 2 月 10 日 – 全球增強型氮化鎵（eGaN^®）功率元件領導者宜普電源（Efficient Power Conversion，EPC）今日宣布，與全球頂尖的先進半導體解決方案及高電壓 GaN 電晶體供應商瑞薩電子株式會社（Renesas Electronics Corporation）達成一項全面的技術授權協議。

EPC 首款第七代 eGaN^® 元件正式進入量產，相較於矽 MOSFET，效能最高可提升達 3 倍

美國加州埃爾塞貢多 – 2026 年 1 月 30 日 – 全球增強型氮化鎵（eGaN）功率元件領導廠商 Efficient Power Conversion（EPC）宣布，其 EPC2366 正式開始量產，這是其第七代（Gen 7）eGaN^® 功率電晶體系列中的首款產品。此第七代平台為電晶體效能樹立了全新的技術標竿。EPC2366 相較於同等規格的矽 MOSFET，效能最高可提升達 3 倍。其典型 R_DS(on) 為 0.84 mΩ，且高度最佳化的 R_DS(on) × Q_G 品質因數（FoM）12.6 mΩ·nC，能同時降低導通與切換損耗，並大幅改善熱效能。該元件專為高效率、高功率密度電源系統所設計，在同步整流、高密度 DC-DC 轉換、AI 伺服器電源及先進馬達驅動等應用中表現卓越。

EPC2366 40 V eGaN^® FET 為次世代電力電子在效能、效率與功率密度方面樹立了全新標竿。

加州艾爾塞貢多（El Segundo），2026 年 1 月 13 日 - 高效能電源轉換公司（Efficient Power Conversion，EPC）隆重宣布，其 EPC2366 40 V 增強型氮化鎵（eGaN®）功率電晶體榮獲 EPDT 2025 年度產品獎，並獲選為 功率電晶體 類別得主。此項殊榮突顯了 EPC 在提供尖端 GaN 技術方面的領導地位，能為資料中心、機器人及 AI 基礎設施應用帶來更高效率與卓越效能。

EL SEGUNDO, CA — 2025年12月8日 — EPC很高興宣布任命Maurizio Di Paolo Emilio為全球營銷傳播總監。Maurizio加入EPC，擁有豐富的功率半導體領域背景，專精於寬能隙(WBG)技術。

Maurizio的職業生涯致力於推進下一代功率解決方案，從早期概念評估到最終產品發布，他評估了前沿半導體產品。除了發表了許多有關此主題的文章外，他還撰寫和編輯了數本有關此主題的書籍。他的技術見解、行業知識和對創新的承諾使他成為EPC領導團隊中的寶貴成員。

EPC91120 參考設計結合了功率、感測和控制於超緊湊的格式中，適用於機器人關節和無人機。

EL SEGUNDO, Calif.— 2025年11月 — 高效功率轉換公司 (EPC)，全球增強模式氮化鎵 (eGaN^®) 功率元件的領導者，宣布推出 EPC91120，這是一款高性能的三相無刷直流 (BLDC) 馬達驅動變流器，專為仿人機器人關節優化。配備了 EPC 的 EPC23102 ePower™ Stage IC，EPC91120 在一個僅 32 毫米直徑的足跡中提供卓越的效率、高功率密度和精確的運動控制，旨在直接整合於機器人馬達組件內。

EPC的5千瓦GaN模組設計為AI伺服器和OCP ORv3機架提供動力

加州艾爾塞貢多— 2025年10月 — 高效能功率轉換公司（EPC），作為增強模式氮化鎵（eGaN^®）功率器件的世界領導者，宣布推出一款高效率、高功率密度的5千瓦交流至48伏直流參考設計，展示了氮化鎵（GaN）技術在下一代伺服器和AI電源架構中的全部潛力。

這個完整系統—包括EPC91107KIT 4級圖騰柱功率因數校正器和EPC91110KIT 輸入串聯輸出並聯（ISOP）LLC轉換器—達到高達96.5%的系統效率，並且整體功率密度為116 W/in³。為滿足開放機架V3（OCP ORv3）尺寸要求，這種模組化解決方案提供了卓越的性能，與相同硅實現方案相比，具有顯著更小的尺寸和更低的成本。

EL SEGUNDO, Calif. — October 2025 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (GaN)-based power solutions, develops innovative power converter to accelerate the adoption of 800 V_DC distribution systems for the next generation of AI data centers.

Future AI factory data centers will require megawatt-scale rack power delivery systems. To address this challenge, EPC has developed a low-cost, low-profile GaN-based, 6 kW 800 V-to-12.5 V converter based on an Input Series Output Parallel (ISOP) topology.

EL SEGUNDO，加州 — 2025年9月 — 作為全球領先的增強模式氮化鎵（GaN）電源解決方案的領導者，EPC很高興確認將參加2025年在中國上海舉行的PCIM Asia展會，展會日期為9月24日至26日。歡迎參觀者蒞臨N5展廳，E12展位參觀EPC，您將有機會探索業界最全面的GaN產品組合並與公司的技術專家進行交流

探索GaN的未來

El Segundo, CA – 2025年8月 – 高效能功率轉換公司（EPC）今日宣布，北京知識產權法院已駁回由創芯科技（蘇州）有限公司（Innoscience）提出的上訴，從而再次確認EPC的中國專利號ZL201080015425.X的有效性，該專利名為“補償閘極MISFET及其製造方法”（補償閘極專利）。北京知識產權法院的這一最新判決進一步加強了EPC寶貴的知識產權組合，並鞏固了其作為增強型氮化鎵半導體裝置的先驅者的地位。

EPC的兩項涵蓋增強型氮化鎵場效應晶體管（FETs）及其製造的專利曾在中國遭到創芯科技（蘇州）的挑戰。中國國家知識產權局（CNIPA）先前已在2024年4月和5月驗證了這兩項專利的有效性，但創芯科技要求重新審查補償閘極專利的決定（案號：（2024）京73 行初15061 号 ((2024) Jing73XingChu NO.15061)）。