面向太陽能應用的氮化鎵元件：基於氮化鎵元件的太陽能應用

氮化鎵場效應電晶體和積體電路憑借其效率和可靠性優勢，越來越多用戶採用基於氮化鎵元件的太陽能應用。氮化鎵的高頻開關能力可實現更精確的功率轉換，並跟蹤太陽能電池板的最大功率點，从而提高能量收集效率。此外，氮化鎵元件的功耗更低、外型尺寸更小，因此太陽能逆變器和轉換器的體積更小、重量更輕、更易於安裝和維護。氮化鎵元件熱性能的提高也確保了其在不同環境條件下的穩定運行，從而進一步提高了太陽能發電系統的整體效率和可靠性，最終最大化生成能源和降低成本。

工業應用

評估板

基於氮化鎵元件的太陽能應用的評估板

即將推出！

• 微型逆變器參考設計
• 優化器參考設計

EPC公司的應用團隊不斷致力於推出新型參考設計。如果我們列出的電路板未能滿足您的設計要求，請訪問向GaN技術專家提問，我們會與您聯繫以進一步與您討論應用所需。

半橋開發板可用於快速評估大多數的eGaN FET和IC。

產品

推薦用於太陽能應用的氮化鎵元件

產品型號	狀況	配置	V_DS 最大值	V_GS 最大值	最大值 R_DS(on) (mΩ) @5V_GS	Q_G 典型值 (nC)	Q_GS 典型值 (nC)	Q_GD 典型值 (nC)	Q_OSS 典型值 (nC)	I_D (A)	脈衝電流 I_D (A)	封裝 (mm)
EPC2218A	Preferred	單路和AEC認證	80	6	3.2	10.5	3.2	1.5	46	60	231	LGA 3.5 x 1.95	尋找授權經銷商
uP1966E	Preferred		85									BGA 1.6 x 1.6	尋找授權經銷商
EPC2044	Preferred	單路	100	6	10.5	4.3	1.3	0.5	15	9.4	89	BGA 2.15 x 1.25	尋找授權經銷商
EPC23102	Engr	半橋ePower™ 功率級	100		6.6				28	35		QFN 3.5 x 5	尋找授權經銷商
EPC23102	Engr	半橋ePower™ 功率級	100		6.6				28	35		QFN 3.5 x 5	尋找授權經銷商
EPC2204	Preferred	單路	100	6	6	5.7	1.8	0.8	25	29	125	LGA 2.5 x 1.5	尋找授權經銷商
EPC2619	Preferred	單路	100	6	4.2	8.5	2.2	1	27	29	164	LGA 2.5 x 1.5	尋找授權經銷商
EPC2306	Engr	單路	100	6	3.8	11	4.1	1.1	41	48	197	QFN 3 x 5	尋找授權經銷商
EPC23101	Engr	半橋ePower™晶片組	100	6	3.3				50	65	240	QFN 3.5 x 5	尋找授權經銷商
EPC2088	Preferred	單路	100	6	3.2	12.5	4.4	1.4	47	60	231	LGA 3.5 x 1.95	尋找授權經銷商
EPC2071	Preferred	單路	100	6	2.2	18	6	1.8	71	64	350	LGA 4.45 x 2.3	尋找授權經銷商
EPC2302	Preferred	單路	100	6	1.8	23	8.9	2.3	85	101	408	QFN 3 x 5	尋找授權經銷商
EPC2308	Engr	單路	150	6	6	10.6	3.8	1.4	50	48	157	QFN 3 x 5	尋找授權經銷商
EPC2305	Engr	單路	150	6	3	21	6.3	2.6	105	102	329	QFN 3 x 5	尋找授權經銷商
EPC2059	Preferred	單路	170	6	9	5.7	1.3	0.9	35	24	102	LGA 2.8 x 1.4	尋找授權經銷商
EPC2207	Preferred	單路	200	6	22	4.5	1.3	0.7	23	14	54	LGA 2.8 x 0.925	尋找授權經銷商
EPC2215	Preferred	單路	200	6	8	13.6	3.3	2.1	69	32	162	LGA 4.6 x 1.6	尋找授權經銷商
EPC2050	Preferred	單路	350	6	80	2.9	1.3	0.3	35	6.3	26	BGA 1.95 x 1.95	尋找授權經銷商