EPC90135:100 V、45 A 氮化鎵基半橋開發板

EPC90135:80 V、45 A 並聯元件評估板,內含EPC2218,
專為大電流應用而設

EPC90135開發板

帶有板載閘極驅動器的EPC90135 開發板內含額定電壓爲 100 V 的 EPC2218 eGaN® FET. 該板包含所有關鍵元件,使它易於與目前大多數現有轉換器拓撲連接,從而簡化對 EPC2218 進行評估的過程。

EPC90135 開發板的尺寸為2“x 2”,內含八個採用四個半橋配置的EPC2218 GaN FET。EPC90135採用uP1966E閘極驅動器。 該板包含所有關鍵元件和其佈局可實現最佳開關性能。 還有各種探測點,可測量簡單波形和計算效率

Ask and EPC Engineer a Question FAQ

對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎?
向GaN技術專家請教