氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)推動最先進高效電源轉換的發展。最新的性能基準是這些場效應電晶體採用了晶片級的柵格陣列及球柵陣列封裝。這些封裝減小佔板面積,雜散電感及寄生阻抗。以下的設計資源展示如何在PCB板上,正確地安裝這些元件。
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宜普公司的eGaN FET可以幫助電子設計工程師,使用任何電源轉換拓撲(包括全橋、半橋、降壓轉換器、升壓轉換器、功率因素校正、反激式轉換器、正激式轉換器和LLC轉換器)實現比矽功率MOSFET顯著更強的性能。