GaN技术杂谈

脉冲激光雷达系统通常使用 905 nm 或 1550 nm 激光进行光发射。1400 nm 以上时，眼睛的各种元素会吸收光线，阻止其到达并损害视网膜。随着激光功率的增加，并非所有光线都被吸收，在某些情况下可能会发生视网膜损伤。由于 905 nm 的光不会被吸收，因此它会到达视网膜，因此必须小心限制能量密度以防止损伤。

基于氮化镓（GaN）的解决方案结合数字控制和高性能磁性材料，可以提高效率，缩小尺寸，并降低高密度计算应用（如超薄笔记本电脑和高端游戏系统）的系统成本。

由Steve Colino共同撰写

电力电子工程师不断努力设计更高效率和更高功率密度的产品，同时保持高可靠性并尽量降低成本。设计技术的进步和改进的元件技术使工程师能够持续实现这些目标。电力半导体是这些设计的核心，其改进对于更好的性能至关重要。在这篇EPC空间博客中，我们将展示氮化镓（GaN）电力半导体如何在太空应用的恶劣辐射环境中实现创新。

重新思考普通事物并克服心理偏见

无刷直流（BLDC）电机在机器人、电子移动设备和无人机中越来越受欢迎，并且应用越来越广泛。这些应用有一些特殊的要求，比如重量轻、体积小、低转矩波动、低噪音以及极高的精度控制。为了满足这些需求，驱动电机的逆变器需要以更高的频率运行，但这需要先进的技术来减少由此产生的更高功率损耗。增强型氮化镓（eGaN®）晶体管和集成电路能够在很高的频率下运行，而不会产生显著的损耗。

Brick DC-DC 转换器广泛应用于数据中心、电信和汽车应用中，将标称的48 V母线转换为（或从）标称的12 V母线。氮化镓（GaN）集成电路（IC）技术的进步实现了半桥和栅极驱动器的集成，提供了简化布局、最小化面积和降低成本的单芯片解决方案。

致谢 - 这份应用说明和相关硬件是在德克萨斯大学奥斯汀分校的半导体电力电子中心（SPEC）的合作下开发的。

Efficient Power Conversion（EPC）は、定格100 Vの成熟したシリコン・パワーMOSFETとeGaNトランジスタの間の性能の差を広げています。新しい第5世代「プラス」デバイスは、以前の第5世代製品と比べて、オン抵抗RDS(on)が約20％小さく、直流定格が高くなっています。この性能向上は、厚い金属層の追加と、はんだボールから、はんだバーへの変更によるものです。

高效电源转换（EPC）正在使老化的硅功率MOSFET与eGaN®晶体管之间的性能差距扩大一倍，达到200 V额定值。新一代第五代器件的尺寸约为上一代的一半。性能提升源自两个主要设计差异，如图1所示。左侧是第四代200 V增强型GaN-on-Si工艺的横截面。右侧是第五代结构，具有缩短的栅极和源极电极之间的距离，并添加了一层厚金属。这些改进，加上许多未显示的其他改进，使新一代FET的性能提高了一倍。