张远哲博士将为业界的包络跟踪应用创建设计基准及帮助客户利用氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）实现高频、高性能的电源转换系统。

宜普电源转换公司（EPC）宣布张远哲（Yuanzhe Zhang）博士加入EPC的应用工程团队，担任应用工程总监。

氮化镓场效应晶体管--EPC2035/36被评选为《EDN》杂志2015年度最热门产品百强榜单。EPC2035/36氮化镓场效应晶体管的价格低、具备更高的性能、更小的尺寸及与等效硅基解决方案相比，其成本更低。这是5年内EPC氮化镓产品第3次荣登该杂志最热门产品百强榜单。

硅基增强型氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn) 宣布其高频、低价格的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）- EPC203560 V）及EPC2036（100 V） 被评选为《EDN》杂志2015年度最热门产品百强之一。

《无线电源手册》第二版是全新增订本，旨在帮助工程师如何发挥氮化镓功率晶体管的卓越性能以设计出面向无线电源传送系统的高效放大器。

宜普电源转换公司（www.epc-co.com.cn）宣布推出《无线电源手册》第二版。出版本实用工程手册的目的是为功率系统设计工程师提供宝贵设计经验及参考数据以了解如何利用氮化镓晶体管设计出高效无线电源系统。

作为宜普电源转换公司的教科书《氮化镓晶体管—高效功率转换器件》的增刊及一本新增了内容的实用指南，本书提供详细分析如何逐步设计完成基于氮化镓晶体管的无线电源传送系统，内容涵盖如何比较组件，例如在放大器设计中，对氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）与MOSFET进行比较，并配以实验证明于这种高性能的应用中，采用eGaN FET如何比采用MOSFET的放大器更为卓越。

Cataldo先生带领宜普电源转换公司（EPC）的销售及市场营销团队，帮助客户采用氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）及集成电路实现领先的功率转换系统。

宜普电源转换公司（EPC）宣布Nick Cataldo加入EPC的管理团队，担任全球销售及市场营销高级副总裁职位，以配合宜普公司正在加速发展的步伐。Cataldo先生在半导体业界拥有超过35年的市场营销及销售营运的经验。他的主要职责是制定及执行销售及市场营销策略，从而达到公司的全球销售目标。

EPC2037增强型氮化镓功率晶体管（100 V、1 A、550 mΩ）由一个数字驱动器直接驱动，于采用D类及E类放大器拓扑的无线充电应用中可以实现高频开关及特别优越的性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn )推出增强型氮化镓功率晶体管（eGaN^® FET）系列的最新成员 -- EPC2037。

EPC2037（100 V_DS、1 A）非常小型（1.82 mm²）及在栅极上施加5 V电压时的最大导通阻抗为 550 mΩ。 由于它具备超高开关频率、低导通阻抗值、异常低Q_G值及采用超小型封装，因此它在电源转换系统具备高性能优势。EPC2037由一个数字逻辑集成电路直接驱动，因此不需额外及高成本的驱动器集成电路。

宜普公司的《DC/DC转换手册》与工程师分享如何在数据通信设备及其它功率转换应用中利用氮化镓（GaN）功率晶体管提高效率及功率密度。

现今世界对信息的需求史无前例地快速增长，而社会对通信、计算及下载技术的渴求进一步驱使我们对信息的需求量上升。新兴技术诸如云端运算及物联网的出现，加上全球每分钟估计有高达300小时的录像被上载至YouTube平台，可见要求更多、更快速的信息存取的趨势不会慢下来。这个挑战推动了我们编撰这本实用工程知识手册--《DC/DC转换-《氮化镓晶体管—高效功率转换器件》的增刊 》。

本书阐述功率转换系统如何持续改善，从而跟上正在快速提升的运算能力的发展步伐，以及应对社会对高效数据中心的需求。此外，本书的焦点是如何发挥高效氮化镓技术并逐步分析如何利用氮化镓器件设计出高效的功率转换解决方案。该分析对用于功率转换系统中的传统先进硅功率晶体管和氮化镓晶体管进行比较。

双路增强型120 V、60 mΩ氮化镓集成电路（EPC2110）可实现超高频开关，从而推动采用E类放大器拓扑的无线电源传送应用实现优越性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn)推出增强型氮化镓IC系列的最新成员-- EPC2110。

EPC2110是一种具有120 V_DS、20 A的双路共源极器件，它采用非常纤薄的封装（1.35 mm x 1.35 mm），于栅极施加5 V电压时的最高R_DS(on) 为 60 mΩ。由于EPC2110具备超高开关频率、超低R_DS(on)、异常低的Q_G及采用非常纤薄的封装，因此这种氮化镓IC可以实现高性能。

全新eGaN^® FET (EPC2039)具备优越性能、大功率及采用超小型封装的优势，其价格也可以支付得起。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2039功率晶体管。该产品是一种具备高功率密度的增强型氮化镓（(eGaN^®)功率晶体管，其尺寸只是1.82 mm²、80 V_DS、6.8 A及在栅极上施加5 V电压时的最大阻抗为 22 mΩ。 由于它在超小型封装内具备高开关性能，因此它在电源转换系统具备高性能优势。

氮化镓功率晶体管 -- EPC2106为功率系统设计师提供的解决方案可以在2 MHz以上频率开关，从而不会干扰AM频段及降低过滤成本，因此是具备低失真性能的D类音频放大器的理想选择。

宜普电源转换公司宣布推出单片半桥式增强型氮化镓晶体管 --EPC2106。通过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为一个集成电路可以去除互感及PCB板上器件之间所需的间隙空间，从而提高效率（尤其是在更高频时）及提高功率密度而同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。

eGaN^®功率晶体管在功率转换领域继续实现更高的性能。该晶体管系列具备更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及优越的散热性能，从而实现具备更高的功率密度的转换器。

宜普电源转换公司宣布推出两个可以提高电源转换效率的eGaN FET。这些产品的工作温度最高达150°C。150 V的EPC2033的脉冲电流为260 A及200 V的EPC2034)的脉冲电流为140 A。应用范围包括DC/DC转换器、DC/DC与AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器、LED照明及工业自动化等应用。

Integrated Device Technology, Inc. ((IDT^®) (美国纳斯达克上市代号: IDTI)宣布与宜普电源转换公司（EPC）合作开发基于氮化镓（GaN）技术的全新方案。氮化镓被公认为在速度及效率方面极具优势的一种半导体材料。这合作谋求探索结合两家公司的技术——EPC的eGaN^®技术及IDT领先业界的解决方案。

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宜普电源转换公司(EPC)推出采用高性能、宽间距的芯片规模封装的全新氮化镓(eGaN^®)功率晶体管，进一步扩大其功率晶体管系列、易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出3个采用具有更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。这些产品采用具有1 mm间距的焊球，进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔，使得器件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）实现大电流承载能力。

全新eGaN^®功率晶体管系列以MOSFET器件的价格实现更优越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2035（60 V）及EPC2036EPC2036 （100 V）eGaN功率晶体管，专为在价格方面竞争而设计并且在性能上超越硅器件。 价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓（GaN）晶体管的普及化的最后一个壁垒，而价格已经下降。这些全新产品可以替代硅半导体及为业界续写摩尔定律的辉煌。

采用全新100 V EPC2104 半桥式器件的全降压转换器在48 V转12 V、22 A输出电流及300 kHz开关频率下，系统效率可超过97%；而在22 A、500 kHz开关频率下，系统效率则接近97%。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC2104(100 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及所需的空隙，使晶体管的占板面积减少50%。这样可以提高效率（尤其是器件在更高频工作时）及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。

全新氮化镓(eGaN^®)功率晶体管（EPC2029）进一步扩大宜普电源转换公司的功率晶体管系列 – EPC2029 氮化镓晶体管使用高效、具有宽间距的芯片规模封装，可易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出采用更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）-- 80 V、31 A并具有1 mm间距的焊球的EPC2029晶体管是这种全新产品系列的首个晶体管。更宽阔的间距可在元件的底部放置额外及较大的通孔，使得小尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）的元件可以具备大电流承载能力。

EPC9201（30 V、40 A）及EPC9203（80 V、20 A）DrGaNPLUS评估板展示出采用具备高频开关性能的eGaN®功率晶体管可大大缩减电源转换系统的尺寸及提高效率。

普电源转换公司为功率系统设计工程师扩大简单易用的DrGaNPLUS评估板系列，使工程师非常容易对他们所设计并采用卓越的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的功率系统进行评估，进而快速实现量产。这些评估板是概念性验证的设计，它把所有半桥式电路所需的元件整合在单块、超小型及基于PCB的模组内，可以随时直接表面贴装在PCB板上，展示出采用氮化镓晶体管的卓越功率转换解决方案。

EPC9115 DC/DC总线转换器展示出配备专有驱动器的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在一个传统、已调节型的隔离式1/8砖式DC/DC转换器的拓扑可以发挥的优越性能。

宜普电源转换公司推出EPC9115演示板，可支持48 V至60 V输入电压范围并转至12 V、 具备42 A输出电流。它采用EPC2020(60 V) 及EPC2021(80 V)增强型氮化镓（eGaN)功率晶体管、德州仪器公司的LM5113半桥驱动器及UCC27611低侧驱动器。功率级使用传统的硬开关及300 kHz开关频率的隔离式降压转换器。

《无线电源手册》旨在协助工程师利用氮化镓功率晶体管的优势设计无线电源传送系统的高效放大器。

宜普电源转换公司（www.epc-co.com.cn）宣布出版《无线电源手册》，目的为功率系统设计工程师提供宝贵设计经验及参考数据以了解如何利用氮化镓晶体管设计出高效无线电源系统。作为EPC的第一本教科书《氮化镓晶体管—高效功率转换器件》的增刊，本书提供实用信息及详细分析如何逐步设计基于氮化镓晶体管的无线电源传送系统。

At the IEEE APEC 2015 power electronics industry conference, EPC applications experts will make eight technical presentations on GaN FET technology and applications showing the superiority of GaN transistors compared to silicon power MOSFETs.

采用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管的EPC9106 D类音频放大器参考设计展示出可以提升效率、缩减尺寸及省去散热器之同时可以实现针对专业级消费者所要求的高音质。

宜普电源转换公司（EPC）推出的150 W、8 Ω D类音频放大器参考设计（EPC9106）采用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计，包含四个接地的半桥输出功率级电路，使得设计可以升级及扩展。