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作者：宜普公司产品应用总监David Reusch博士
在不同的应用里与硅MOSFET器件相比，增强型氮化镓基功率器件如氮化镓场效应晶体管展示了它可以实现更高效及更高开关频率的性能。氮化镓场效应晶体管具备改善了的开关品质因数，因此封装及印刷电路板版图的寄生电感对性能的影响非常重要。在本章及本部分我们将讨论在负载点降压转换器的应用（工作于开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压为1.2 V及输出电流达20 A的条件下），寄生电感对基于氮化镓场效应晶体管及MOSFET器件的转换器在性能方面的影响。
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宜普公司首席执行官及应用专家将于业界IEEE APEC2013年电力电子研讨会举行为期半天的关于氮化镓场效应晶体管的技术及应用研讨会。
增强型硅基氮化镓功率场效应晶体管的全球领先供应商宜普电源转换公司将于3月17日至21日在美国加州Long Beach举行的2013年APEC会议的学术研讨会及多个以应用为主题的技术论坛演讲。
在功率电子应用响负盛名™的APEC会议专注功率电子的实用及应用方面，备受各界功率电子专家关注。APEC会议与在职工程师分享所有不同功率电子元件及设备的用途、设计、制造及推广，详情请浏览http://www.apec-conf.org/ 。
宜普公司创办人及首席执行官Alex Lidow说：“我们的专家非常荣幸获得2013年APEC会议技术评委会推荐我们在其学术研讨会演讲，并与工程师分享关于氮化镓的技术论 文。委员会对我们的支持进一步强化我们的信念 -- 功率系统设计工程师对具备卓越性能的氮化镓技术感到兴趣并且认同。”
学术研讨会： 实现高效电源转换的氮化镓晶体管
日期：3月17日（星期日）（S.7：下午2时30分至6时）
是次研讨会将讲解“氮化镓晶体管- 高效功率转换器件” 教科书所涵盖的议题，并阐释氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）的性能，以及讨论如何使用这些器件，包括解释在高性能、高频的电源转换应用中需要考虑驱动器、版图及热管理等因素。 为展示氮化镓技术在现实世界里的价值，我们将讨论多个应用包括高频包络跟踪（ET）、中间总线转换器（IBC）及无线电源传送。此外，我们将在研讨会的总结部分讨论这个崭露头角、替代MOSFET技术的未来发展。
宜普专家讨论关于氮化镓场效应晶体管的技术演讲
圆桌座谈会
专题讨论 ：宽带隙的半导体 - 时机成熟还是有待实现的承诺？
讲者 ：Alex Lidow
日期 ：3月19日（星期二）（Session 2：下午5时至6时30分）
技术研讨会
减小了寄生电感的高频及低损耗eGaN转换器设计
讲者 ：David Reusch 及 Johan Strydom
日期 ：3月20日（星期三）（直流-直流转换器 Session ：下午2时至5时30分）
在包络跟踪应用采用氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
讲者 ：Johan Strydom
日期 ：3月20日（星期三）（IS 2.2.4：上午8时30分至10时15分）
氮化镓场效应晶体管推动低功耗及高频无线能量转移转换器的应用
讲者 ：Michael de Rooij
日期 ：3月20日（星期三）（IS 2.2.3：上午8时30分至10时15分）
基于氮化镓场效应晶体管的谐振式高频电源转换器
讲者 ：David Reusch
日期 ：3月21日（星期四）（IS 1.4.5：上午8时30分至11时30分）
宜普公司简介
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册，定期收取EPC公司的最新产品资讯。
商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标
媒体联络人
Winnie Wong ([email protected])
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www.bodospower.com在电源转换领域，硅基氮化镓技术作商业应用的竞赛有不断加剧的趋势。截至2012年12月为止，业界大约有7间供应商占领导地位，其它则有超过20多间半导体供应商参加这个竞赛。详情请浏览www.bodospower.com。
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EPC9004开发板内含氮化镓场效应晶体管及采用德州仪器公司专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器
宜普电源转换公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9004开发板， 展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器，可帮助设计工程师简单地及以低成本从硅功率晶体管改为采用更高效的氮化镓场效应晶体管。
EPC9004开发板是一种200 V峰值电压、2 A最大输出电流的半桥电路设计，内含EPC2012氮化镓场效应晶体管，并同时配合德州仪器公司的快速栅极驱动器（UCC27611），从而缩短设计高频及高效功率系统的时间及减少设计的复杂性。
推出EPC9004开发板的目的是简化评估高效氮化镓场效应晶体管的过程，因为这种开发板是块2英寸x1.5英寸单板，板上集成了所有关键元件，因此易于与目前任何转换器连接。此外，电路板上还备有多个探测点，以便测量简单的波形和计算效率。随开发板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南，使用户可以更容易使用开发板。
受益于200 V的EPC2012晶体管的应用包括无线电源充电、磁力共振扫描及具低射频的应用如智能仪表通信设备。
EPC9004开发板的单价为95美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。
氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持
宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
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媒体联络人
Winnie Wong ([email protected])
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杂志 ：Power Electronics Technology
作者 ：宜普电源转换公司应用副总裁Johan Strydom博士
日期 ：2013年1月
我们在之前的文章讨论氮化镓场效应晶体管与硅器件相同之处，并可以利用 量度性能的相同标准来评估它。虽然根据大部分的量度标准结果可以看到，氮化镓场效应晶体管的表现更为优越，但氮化镓场效应晶体管的体二极管前向电压比 MOSFET较高及在死区时间内可以是高功率损耗的元件。体二极管前向导通损耗 并不构成在死区时间内产生的全部损耗，而二极管反向恢复及输出电容损耗也很重要。本章讨论管理死区时间及工程师需要把死区时间损耗减至最低。
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无线充电将于2013年成为于电力电子业界增长迅猛的应用，其主要的发展步伐从2012年起开始加快。PowerPulse.Net编辑评选出十大发展以反映无线充电应用在2013年及之后的重要发展历程。
宜普在2012年8月宣布推出高效无线电源展示系统，它采用了具备高频开关性能的氮化镓晶体管（eGaN® FET），由于该晶体管可以在高频、高压及高功率条件下有效率地工作，所以非常适用于高效无线电源系统。该系统由宜普及WiTricity公司共同开发，为一个在工作频率为6.78 MHz的D类电源系统，能够向负载提供高达15W的功率。使用这个展示系统的作用是可以简化无线电源技术的评估流程。这个系统内的所有主要元件都是易于连接，可以展示无线电源传送如何对器件充电。
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杂志：Bodo's Power Systems
作者：Steve Soffels, Denis Marcon, and Stefaan Decoutere （IMEC）
日期：1/2/2013
摘要：在功率电子行业中，氮化镓技术从小众、专业市场扩展。第一代氮化镓晶体管现正扩 大其在功率电子市场的份额。
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杂志：Bodo’s Power Systems (www.bodospower.com)
日期：1/2/2013
作者：宜普公司首席执行官Alex Lidow博士、应用工程执行总监Michael deRooij博士及应用工程 总监David Reusch博士
摘要：本文展示了增强型氮化镓场效应晶体管推动谐振拓扑在效率方面实现重大改善，以及工作 在6.78 MHz频率范围的无线电源传送实用范例。
读过的文章
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作者：Ashok Bindra
杂志：How2Power Today （2012年12月刊）
在过去的数年间虽然有很多讨论关于基于氮化镓的功率晶体管可以替代普遍使用的硅MOSFET器件，但硅基氮化镓的功率场效应晶体管可能需要较长的时间才可以在电源转换领域成为主流器件。目前数个全新应用的出现将有望实现氮化镓技术所提供的优势。除了具备商用及高可靠性的条件，氮化镓器件的独有特性正在促进全新应用的出现。
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By: Sun Changhua
Digitimes.com
December 20, 2012
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本书由业界专家编写，为工程师提供关于氮化镓晶体管的理论及其应用范围
宜普公司宣布出版了“氮化镓晶体管- 高效电源转换器件”的简中版教科书，旨在为功率系统设计工程师提供氮化镓晶体管的基本技术及相关应用的知识，从而帮助工程师使用氮化镓晶体管设计更高效的电源转换系统。
清华大学李永东教授评论这书时说“本书回顾了电力电子材料与器件的发展历程，并以新型氮化镓材料作为主要研究对象，深入地研究该类功率半导体材料的特点与应用。本书的分析缜密，内容新颖，论述详实，既具有很高的理论水平，又兼顾工程应用实例，具有大量详实的实验数据作为验证理论分析的依据。作为电力电子行业的读者，我觉得这是一本难得的，兼顾理论、实践与可读性的好书”。
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宜普公司（www.epc-co.com） 宣布获得电子设计技术杂志颁发2012年度创新奖（电源器件与模块组别）之优秀产品奖。今年是电子设计技术杂志扎根中国第八个年头，它通过全球电子设计工程师网友及经理的投票与专家选评取得结果，为电子产业内最具影响力和权威的奖项。
宜普公司首席执行官Alex Lidow 说“我们非常荣幸获得电子设计技术杂志颁发奖项，并得到业界工程师的支持，作为在市场的主导产品，EPC2012是我们氮化镓场效应晶体管系列中成员之一，为客户所采用的更高性能并替代硅基MOSFET器件的产品”。
EPC2012器件为第二代200 V、具高频开关及增强性能的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET），并使用无铅以及符合RoHS(有害物质限制)条例的封装。
EPC2012 FET是一款面积为1.7 x 0.9 mm的200 VDS器件，RDS(ON)最大值是100 mΩ，栅极电压为5 V，脉冲额定电流为15 A，因此在较低栅极电压时，其性能得以全面增强。
与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比，EPC2012体积小很多，而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、无线电源传送、射频包络跟踪、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。
eGaN FET 的设计信息及支持
关于电子设计技术杂志（EDN China）
全球70多家公司的128项产品参加了本届电子设计技术杂志2012年度创新奖“最佳产品奖”的角逐，技术分类包括9 大技术类别 ：电源器件与模块、嵌入式系统、微处理器与 DSP、可编程器件、模拟与混合信号 IC、测试与测量、开发工具 与软件、无源器件与传感器，以及通讯与网络IC。此外还颁发了“工程师最喜爱的分销商奖”、“本土创新公司奖”和“创新工程师”奖项。电子设计技术杂志于超过20年前始创为国内第一本专注电子设计及知识交流的平台，目前其网站拥有超过400,000注册用户。详情请浏览www.ednchina.com.
宜普公司简介
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媒体联系人
Winnie Wong ([email protected])
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增强型氮化镓场效应晶体管技术的领先供应商 宜普电源转换公司被评选为“电子工程专辑 Silicon 60”高新科技新创企业之一。这些公司是电子工程专辑的编辑团队根据各公司所发展的技术、目标市场、成熟度、财政状况、投资规模和行政人员的领导才能等多种考量标准而评选出来的。
宜普公司首席执行官Alex Lidow说非常荣幸被评选为最热门的新兴电子公司之一，及感谢电子工程专辑对宜普公司的评价为“一家值得关注的新兴企业”。
与先进的 硅功率MOSFET相比，宜普氮化镓场效应晶体管的尺寸更小及器件的开关性能高出很多倍。受惠于氮化镓场效应晶体管的增强性能的應用包括射频包络跟踪、无线电源传送、高效直流-直流电源、负载点转换器及D类音频放大器。宜普也发布了氮化镓技术的成本将低于硅功率MOSFET及可以替代日益受限、价值几十亿美元的功率MOSFET和IGBT市场的进程。
如欲取得宜普公司氮化镓场效应晶体管产品系列的详尽资料，请浏览 http://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-ics。
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宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
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作者：宜普公司应用副总裁Johan Strydom博士
杂志：Power Electronics Technology
摘要：
在这一系列的文章中，我们展示了与硅MOSFET相比，氮化镓场效应晶体在硬开关及软开关应用中它在性能方面的改善。我们看到在所讨论的每一个情况下，氮化镓场效应晶体管的性能比MOSFET器件更为优越。第十一部分讨论了晶片尺寸的优化工艺，并使用一个应用范例来展示其结果。
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宜普电源转换公司（www.epc-co.com）宣布EPC9102荣获今日电子杂志十大电源产品技术突破奖 。
EPC9102 是一个全功能八分之一砖式转换器演示板。这块电路板是一个36 V-60 V 输入、12 V输出、375 KHz相移全桥式（PSFB）八分之一砖式转换器，最大输出电流为17A。EPC9102演示板展示了基于氮化镓场效应晶体管的直流-直流转换器可帮助工程师在业界基准砖式转换器的外形尺寸限制下提高输出功率及功率密度，
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杂志：Bodo's Power Systems
作者：宜普公司产品质量及可靠性总监马艳萍博士
摘要：
本文讨论了相比功率MOSFET器件，氮化镓场效应晶体管具有高电子密度和非常低的温度系数，使它能够在目前的高性能应用中具明显的优势。电子密度产生优异的RDS(ON)，而正温度系数防止在芯片内产生发热点，致使氮化镓场效应晶体管可以在安全工作区域工作时具有更卓越的性能而不会发生故障。
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氮化镓场效应晶体管具有正温度系数， 因而在安全工作区域的电压及电流等条件的范围下，它具有更卓越的性能而能够解决硅MOSFET器件在性能上的限制。
宜普公司将发布所有氮化镓场效应晶体管在安全工作区域的数据。该器件具有正温度系数， 因而在安全工作区域范围内只有一个小区域受限于器件的平均温度。
安全工作区域的数据可以显示器件在具阻抗的结点的散热能力，其散热能力越高，器件越具更低的热阻，并使器件在安全工作区域的电压及电流等条件的范围下，具有更卓越的性能而不会发生故障。
与功率MOSFET相比，宜普的氮化镓场效应晶体管在目前的高效应用中具有更卓越的优势，它具有优异的RDS(ON)阻抗值及正温度系数，防止在芯片内产生发热点，致使氮化镓场效应晶体管可以在安全工作区域工作时具有更卓越的性能而不会发生故障。
宜普的氮化镓场效应晶体管的安全工作区域的应用手册刊载于: http://epc-co.com/epc/documents/product-training/SafeOperatingArea.pdf 。 此外，宜普公司将更新产品的数据表，包括列明每一个器件在安全工作区域内的性能的曲线图。
请浏览宜普其它产品的应用及设计资讯：
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