评估氮化镓（GaN）作为硅 MOSFET 低电压替代方案 技术分享GaN技术杂谈 – Maurizio Di Paolo Emilio 2月 19, 2026 近年来，氮化镓（GaN）功率器件的进步显著拓展了其在40 V以下低电压应用中的工作范围。由于硅MOSFET具有良好的导通性能、成熟的制造工艺以及经过验证的可靠性，历史上一直主导这一电压区间。 PCIM Mesago 阅读文章 Tags: AIGaN FETLow-voltageMOSFETMotor DriveRobotics硅 Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC