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p-GaN HEMTパワー・デバイスにおけるドレインとゲートの過電圧故障メカニズムの分析
Posted 2024年10月31日
この記事では、業界で広く使われているp-GaN HEMTデバイスのドレインとゲートの過電圧ストレスによる根本原因の故障メカニズムの分析について説明します。結論では、この研究の著者の1人との独占インタビュを紹介します。
米Power Electronics News誌
2024年10月
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