GaNの何が気に入らないのでしょうか？

GaN FETはパワー・エレクトロニクスに革命をもたらしています ーー シリコンMOSFETよりも高速、小型、そして「安価」です。パワー・エレクトロニクスの展示会PCIM Europe 2025のこのビデオでは、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、GaN技術がAI（人口知能）サーバー、衛星、ロボットの推進力として今、なぜ注目を集めているかを解説します。ワイド・バンドギャップ半導体がシリコンの10倍の性能を実現する理由、100～200 VでGaNが実際に安価になる理由、そして新しい第7世代デバイスが前世代の1/3のサイズになる理由をご覧ください。

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