EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は8月5日、北京知的財産裁判所が中国Innoscience（Suzhou）Technology Co., Ltd.（Innoscience）による控訴を棄却し、EPCの中国特許番号ZL201080015425.X、タイトル”Compensated gate MISFET and method for fabricating the same”（補償ゲート特許）の有効性を再確認したと発表しました。北京知的財産裁判所によるこの最新の判決は、EPCの貴重な知的財産ポートフォリオをさらに強化し、エンハンスメント・モードGaN半導体デバイスのパイオニアとしての地位をさらに強化するものです。
エンハンスメント・モードGaN電界効果トランジスタ（FET）とその製造に関するEPCの特許2件について、中国でInnoscience（Suzhou）が異議を申し立てていました。中国国家知識産権局（CNIPA）は2024年4月と5月に両特許を有効化していましたが、Innoscienceは補償ゲート特許に関する決定の再考を求めました（事件番号：（2024）京73行初15061号（（2004）Jing73XingChu NO.15061））。
「GaNパワー・デバイスにおけるEPCのイノベーションは、約20年にわたる研究開発の成果です。北京知的財産裁判所の判決は、当社の知的財産の強さを裏付けるものとして歓迎します」とCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。
特筆すべき点として、InnoscienceによるEPCの知的財産権侵害の米国国際貿易委員会（ITC）の判決から、EPCは恩恵を受け続けています。この判決は、現在も完全に効力を有しており、この判決に基づき、Innoscienceの侵害製品の米国への輸入を禁止する排除命令が出されました。
EPCのGaNパワー・トランジスタは、従来のシリコン・デバイスと比べて、優れた効率、高速スイッチング、実装面積の小型化を実現します。この検証済みの特許は、AI（人口知能）サーバー、イーモビリティ、ロボット、急速充電、自律型プラットフォームなど、次世代システムに電力を供給する現代のエンハンスメント・モードGaN FETの構造と性能にとって極めて重要であると広く認識されています。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、 リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星 などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
ソーシャル・メディア：LinkedIn、YouTube、Facebook、Twitter、Instagram、YouKuをフォローしてください。
報道関係の問い合わせ先
Renee Yawger 電話：1.908.475.5702、電子メール：[email protected]
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。