EPCの第7世代eGaN®デバイスの量産が始まり、このデバイスは、シリコンMOSFETよりも最大3倍の性能向上を実現します
エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月2日、第7世代（Gen7）のeGaNパワー・トランジスタ・ファミリーの最初の製品「EPC2366」の量産を開始したと発表しました。この第7世代プラットフォームは、トランジスタ性能において新たな最先端技術を提供します。EPC2366は、同等のシリコンMOSFETに比べて最大3倍の性能向上を実現します。オン抵抗RDS(on)は標準値で 0.84 mΩ、高度に最適化したRDS(on)×ゲート電荷 QGの性能指数（FoM：figure of merit）12.6 mΩ・nC未満であり、導通損失とスイッチング損失を同時に低減し、熱特性も改善します。高効率、高密度のパワー・システム向けに設計したこのデバイスは、同期整流、高密度DC-DC変換、AI（人口知能）サーバーの電源、高度なモーター駆動に優れています。
このデバイスは、最大 40 V のドレイン-ソース間電圧と最大 48 V の過渡電圧、最大 88 A の連続ドレイン電流、および 360 A のパルス電流をサポートするので、最も要求の厳しいパワー・システムにも最適です。
このデバイスは、接合部からパッケージまでの熱抵抗が 0.6 ℃/Wで、面積が3.3×2.6 mmと小型のPQFN パッケージに収めたことによって、高電力密度向けに熱的に最適化されています。
「当社は、パワー・トランジスタの性能において新たな最先端を生み出す第7世代GaNプラットフォームを開発しました。40 VのEPC2366は、このファミリーで初めて量産を開始した製品です。当社は現在、第7世代の25 Vおよび15 Vのトランジスタのサンプル出荷を始めており、2026年前半には、さらなる量産への移行を予定しています」とCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。
当社は、設計と評価を加速するために、ハーフブリッジ評価基板EPC90167も提供しています。この基板は、標準的なPWM（パルス幅変調）駆動信号と柔軟な入力モードをサポートする寄生要素が小さいレイアウトで2個のEPC2366トランジスタを統合し、技術者に実際のアプリケーションで性能を評価するためのリファレンス・プラットフォームを提供します
米国での参考価格と入手方法
EPC2366は現在量産中で、EPCの世界的な流通チャネルや直接販売を通じて注文することができ、ユーザーはデータセンターの電源、同期整流段、モーター駆動回路、その他の高密度電力変換用途向けの設計を拡張できます。
eGaN FETのEPC2366の単価は、1リール当たり3000個購入時で1.56米ドルです。
開発基板EPC90167の単価は211.65ドルです。
EPC2366と開発基板 EPC90167は、いずれも米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.jp/en/supplier-centers/epchttps://www.digikey.jp/en/supplier-centers/epc）で購入でき、即座に配送されます。
シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCのGaNパワー・ベンチのクロスレファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスレファレンス・ツールは、epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、 リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星 などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
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報道関係の問い合わせ先
Maurizio Di Paolo Emilio 電話：+39 3381426036、電子メール：mailto:[email protected]
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。