EPCの GaN技術により、ルネサスは民生用および AI電源市場での競争力を強化
エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月10日、先進的な半導体ソリューションと高電圧GaNトランジスタの世界的大手サプライヤであるルネサス エレクトロニクスとの包括的なライセンス契約を発表しました。
この契約に基づき、ルネサスは、EPCの実績ある低電圧eGaN技術と確立されたサプライ・チェーン・エコシステムを活用できるようになり、幅広い市場に向けて高性能GaNソリューションの展開を加速します。EPCとルネサスは今後1年にわたり、これらの製品のウエハー製造を自社で行う体制の構築に向けて協業します。さらに、ルネサスは、すでに量産中のEPCの主要なGaNデバイスについてセカンド・ソース供給を行うことで、ユーザーのサプライ・チェーン体制の強化に貢献します。
パワー・エレクトロニクス設計者が高効率、高電力密度、そして二酸化炭素排出量の削減を追求する中、シリコンの物理的限界が性能向上や小型化の制約となりつつあります。シリコンと比べて、GaNトランジスタは、高効率、高速スイッチング、そして大幅な小型化が可能です。これらの利点により、民生用電子機器からAIデータセンターに至るまで、幅広いアプリケーションにおける電力変換アーキテクチャは変革しつつあります。この提携によって、ユーザーはGaN技術を活用しやすくなると共に、品質の高いセカンド・ソースを通じてより安定した供給体制が実現します。
「当社とルネサスは、最先端の電力効率を実現するためのグローバル・アライアンスを構築し、AIデータセンターのコスト削減と自律システムの強化を実現します。これは、この業界と当社にとって、非常に刺激的な瞬間です」とEPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。
数十億ドル規模の半導体企業であり、世界的な販売、マーケティング、製造能力を持つルネサスは最近、高電圧GaNポートフォリオを強化するため、米Transphorm（トランスフォーム）の買収を完了しました。TransphormのGaN技術は、AC-DC電源、EV（電気自動車）充電器、太陽光発電インバータ、産業用モーター駆動などの用途で優れた性能を発揮し、過酷な動作環境下でも高い信頼性を実現しています。EPCの低電圧eGaNに関する専門技術が加わることで、ルネサスは、低電圧から高電圧までを網羅する業界でも有数の包括的なGaNパワーのポートフォリオを提供できるようになり、GaN革命をさらに加速させます。
「低電圧GaN分野へ事業を拡大することで、ルネサスは成長が最も著しいパワー市場に製品を提供できるようになります。EPCとの今回の契約は、当社の既存の650 V以上の高電圧ポートフォリオを補完するものであり、48 Vから12 V、さらには1 Vへ広がるAI電源アーキテクチャをはじめ、クライアント・コンピューティング、バッテリー駆動アプリケーションなどの大規模市場への展開を可能にします」とルネサスのGaN事業部のバイス・プレジデントであるRohan Samsiは語りました。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、 リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星 などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。
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