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EPC、eGaN®の信頼性と耐久性に関する理解を深めるフェーズ18の信頼性レポートを公表

EPC、eGaN®の信頼性と耐久性に関する理解を深めるフェーズ18の信頼性レポートを公表

実験室で実施した信頼性試験と実際のミッション・プロファイルとの間のギャップを埋める

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月19日、eGaNデバイスの信頼性に関する新たな知見を提供するフェーズ18の信頼性レポートを公表したと発表しました。このレポートは、実験室で実施した信頼性試験と実際のミッション・プロファイルにおけるデバイス性能とのギャップを埋めることで、これまでの調査をさらに発展させたものです。ユーザーとの緊密な連携を通じて策定され、評価された研究論文や国際会議での発表によって裏付けられたアプリケーション固有のストレス条件下におけるデバイス寿命をより正確に予測するための新しい手法を紹介しています。

このレポートは、GaN HEMTにおける基本的な摩耗メカニズムを理解することの重要性を強調し、動作中に発生する主なストレス条件に基づいてデバイス全体の寿命を推定するための定量的な手法を示しています。この手法は、電圧、電流、温度、デューティ比といったさまざまなストレス要因を組み合わせることで、幅広い用途において、より正確な寿命予測を可能にします。

フェーズ18は、​​以前のレポートと似ていますが、主な摩耗メカニズムについて、より深く掘り下げています。これには、pGaN構造におけるゲートの信頼性、ストレスや過電圧への耐性(耐久性)、最大電流密度、チップスケール・パッケージとQFNパッケージの両方におけるデバイスの熱機械的摩耗などが含まれます。このレポートでは、動的スイッチング条件と高周波動作における信頼性についても検討しており、実際の動作をより深く理解することができます。

さらに、このレポートでは、急激な電流過渡現象や変動する負荷条件を特徴とするモーター駆動用途など、ミッション固有の信頼性評価についても説明しています。これらのアプリケーション固有のストレス・プロファイルを再現するためにカスタマイズした試験手法を提示し、そのような条件下におけるEPCのGaN技術の耐久性を実証しています。

「フェーズ18は​​、eGaNデバイスが実際の動作条件下でどのように動作するかを理解する上で、大きな進展を示しています。固有の摩耗メカニズムを特定し、それをミッション固有のストレス条件と関連付けることで、デバイスの寿命をより正確に予測し、より信頼性の高いシステム設計をサポートできるようになります」と製品信頼性部門バイス・プレジデントのShengke Zhangは述べています。

「フェーズ18の信頼性レポートは、当社のGaN技術における継続的なイノベーションだけでなく、ユーザーとの強力な協力関係も反映しています。建設的な議論や、時には厳しい要求にも応えていただいたすべてのユーザーに心から感謝します。このようなレベルの協力は、実験室での試験と実際の性能とのギャップを埋めるために不可欠です」とCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語りました。

フェーズ18の信頼性レポートは、APECで展示され、その技術的な厳密さとパワー・エレクトロニクス設計者にとっての実用的な関連性をさらに強化するでしょう。

このレポートは現在、EPCのウエブサイトからダウンロードできます。



EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)に基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、 リモート・センシング技術(Lidar)、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星 などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。

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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

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Maurizio Di Paolo Emilio 電話:+39 3381426036、電子メール:mailto:[email protected]