GaN FETの並列接続：電流分割の課題と解決策

パワー・エレクトロニクスにおける最も古くからの課題の一つは、複数のトランジスタを並列接続して、より大きな電流を流せるスイッチを実現することです。ただし、2個以上のトランジスタは、電気的特性が完全に同一になることはなく、電流を均等に分割することが困難なので、この作業は容易ではありません。

初期のパワー・コンバータの設計者にとって、この課題は、利用できた部品が電流駆動のバイポーラ・トランジスタ（BJT）だったので、さらに困難でした。つまり、電流の均等な分割を実現するために、固有の安定化効果を利用することはできませんでした。実際、通常動作時でも、必要なベース・エミッタ間電圧（V_BE）は温度上昇と共に低下します（－2 mV/℃）。このため、わずかな不均衡でも、V_BEの低いトランジスタに多くの電流が流れ、発熱が大きくなり、故障につながります。

米Power Electronics News誌
2025年3月

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