EPC’s CEO Analyzes GaN’s Move into Robotics and Data Centers

ここ数年、ワイド・バンドギャップ半導体の採用が驚異的な伸びを見せており、これは、従来のシリコン製品を置き換えるという確固たるトレンドとなっているようです。炭化ケイ素は電気自動車や充電インフラ向けに成功を収めている一方、窒化ガリウム（GaN）HEMTは当初、主に充電器やアダプタといった民生用途向けに進出していました。ただしGaNは、単にMOSFETを置き換えて充電器を薄型軽量化するという単純な用途にとどまらず、はるかに汎用性が高くなっています

初期の研究では主に、青色LED（発光ダイオード）やRFパワー・アンプ向けに考案されたこの技術は、それにもかかわらず、卓越した電界強度と電子移動度を示してきました。これらの特性は、その製造「スタイル」と完璧に合致しています。ドーピング領域を形成するために複数の高温拡散工程を経て製造されるシリコンのパワー部品とは異なり、GaN HEMTは、バルク・ドーピングのプロファイルではなく、エピタキシャル層の積層の材料界面によってその特性を実現しています。

米Power Electronics News誌
2026年4月
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