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モノリシックeGaN^® ICパワー段を使った低電圧BLDCモーター駆動インバータ

BLDCモーターは人気のある選択肢であり、ロボットやドローンでの用途が増えています。 このような用途には、小型軽量、低トルク・リップル、精密制御などの特別な要求があります。これらのニーズに対応するには、モーターに電力を供給するインバータが、より高い周波数で動作する必要がありますが、高周波コモン・モードや誘導電流に関連する過剰な損失、EMI（電磁干渉）雑音の発生、過剰な機械的摩耗を防ぐためにフィルタを追加しなければなりません。GaN FETとICは、大きな損失を発生させることなく、ハード・スイッチング構成において、はるかに高い周波数で動作する機能を提供します。

GaN FETベースの超薄型DC-DC降圧型コンバータ

コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、およびその他の民生用電子機器システムが過去10年間でより薄く、より大電力になるにつれて、この限られたスペースからより多くの電力を引き出すと同時に、より薄いソリューションが欲しいという要求が高まっています。この論文では、48 Vから20 Vの超薄型電源ソリューションに、さまざまな非絶縁型DC-DC降圧型の構成を採用する可能性について検討します。2つの回路構成、つまり3レベルおよび2相のバック（降圧型）・コンバータを選択して、超薄型の48 Vから20 V、250 Wのコンバータを設計します。GaN FETは、コンバータのサイズを小型化し、効率を向上させるために使えます。

300 Wで48 V入力、12 V出力の1/16ブリックのGaN FET搭載DC-DCコンバータ、

ブリックDC-DCコンバータは、電源モジュールの標準化団体である米DOSA（Distributed-Power Open Standards Alliance）によって標準化されています。この団体は、データセンター、通信、自動車といった産業向けの電力分配システムの互換性と柔軟性の向上を推進しています。これらのブリック・コンバータは一般的に、公称48 Vを、さまざまな出力電圧の中で分配バスの公称12 Vに変換するために使われます。フォーム・ファクタが固定されているため、トレンドは、より高い電力密度に向かっています。この論文では、最大出力電力が300 W、電力密度が730 W /立方インチの48 V入力、12 V出力の用途向けに、GaN FETを使った非絶縁型1/16ブリックDC-DCコンバータの設計を紹介します。

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宇宙のGaN 時間：2020年7月14日（火）午後7:00（太平洋夏時間）
時間：2020年7月15日（水）午前10:00（太平洋夏時間）

ウエビナに参加して、宇宙ベースのシステムにおける電力変換アプリケーションに、GaNパワー・トランジスタとICが最適な理由を発見してください。

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