イベント

EPCとトルコの電子部品代理店Empa ElektronikによるGaNウエビナ・シリーズ

2021年10月5日 - 2021年10月27日
EPCとトルコの電子部品代理店Empa ElektronikによるGaNウエビナ・シリーズ
場所: オンライン

GaNのエキスパートたちと技術の変化に備える 講演者:Marco Palma、モーター駆動のシステムとアプリケーション部門ディレクタ、EPC

トルコの電子部品代理店Empa ElektronikとEPCが共同で今秋に開催する4部構成の「オンライン・ウエビナ」シリーズをお見逃しなく。GaNのエキスパートたちと会えます。

Microsoft Teamsで開催されるこのウエビナ・シリーズに今すぐ登録してください

2021 Symposium on High Power Semiconductor Materials (GaN & SiC) and Devices

2021年10月26日 22:30 - 23:30 (UTC-05:00) Eastern Time (US & Canada)
2021 Symposium on High Power Semiconductor Materials (GaN & SiC) and Devices
場所: オンライン

BLDCモーター駆動に、GaNがもたらす驚くべき利点 講演者:Michael de Rooij、Ph.D.、アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント

人気のブラシレスDC(BLDC)モーターは、ロボットやドローンでの用途が増えています。このような用途には、軽量、小型、低トルク・リップル、精密制御などの特別な要件があります。これらのニーズに対応するために、モーターに電力を供給するインバータは、より高い周波数で動作する必要がありますが、高周波コモン・モードと誘導電流に関連する過度の損失、EMI(電磁干渉)雑音の発生、および過度の機械的摩耗を防ぐために、フィルタを追加する必要があります。GaN FETとICは、大きな損失を生じることなく、ハード・スイッチング構成で、はるかに高い周波数で動作する能力を提供します。ここでは、高いスイッチング周波数が可能で、1相当たり最大15 ARMSの負荷電流を供給できる新しいモノリシックGaNハーフブリッジePower Stage ICを紹介します。この高周波によって、フィルタへの要件が軽減されるため、ロボットに必要な高精度の制御が保証されるだけでなく、可聴雑音も低減されるため、サイズと重さが削減されます。

WiPDA 2021

2021年11月7日 - 2021年11月12日
WiPDA 2021
場所: バーチャル・イベント

基調講演
Gallium Nitride Integration and the End of Discretes 講演者:Alex Lidow、Ph.D.、Efficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)で共同創立者

GaNオン・シリコン基板を使って形成した集積回路は、7年以上にわたって製造されています。その間、GaNベースのICは、純粋なディスクリート・デバイスからモノリシックのハーフブリッジ・デバイスへ、そして、独自のモノリシック集積化ドライバを搭載したパワーFETへと進化し、最近では、パワーFET、ドライバ、レベル・シフト回路、論理回路、保護回路を含む完全なモノリシック・パワー段へと進化しました。この講演では、GaNオン・シリコンの集積化のロードマップを示して、ディスクリート・トランジスタの役割が今後数年間でゼロ近くまで減少する運命にあることを説明します。

技術プレゼンテーション
極端なGaN:eGaN® FETがデータシートの制限をはるかに超える電圧レベルにさらされた場合に何が起こるか 著者:Alejandro Pozo、Robert Strittmatter、Alex Lidow、Ph.D.

GaNトランジスタ、そして、最近では集積回路が、10年以上にわたって大量生産されており [1]、数10億時間で、実際の最終用途において数1000万の機器が出荷されたと報告しているメーカーもあります。この実績は、非常に成功しており、主な理由の1つは、GaNデバイスが、前任者のシリコンMOSFETよりもはるかに丈夫であることを示しています。最近、Efficient Power Conversion(EPC)は、大きな過電圧ストレスの影響を定量化するために、eGaN FETに対してデータシートの制限を超えて一連のテストを実施しました [3]。この論文では、これらのテストのいくつかの結果を調べ、極端な条件下での長期間の動作によって、電源システムの設計技術者にとって実用的な新しいツールになり得ることを示します。

技術プレゼンテーション
モーター駆動用途向けのGaNデバイス 著者:Marco Palma、モーター駆動システムとアプリケーション部門ディレクタ

直流およびバッテリーで駆動するモーター用途は、従来のシリコンMOSFETの低周波PWM(パルス幅変調)インバータから、GaNの高周波PWMインバータに移行しています。この利点は、より高いシステム効率と電解コンデンサの除去、および入力コイルに依存しています。EMI(電磁干渉)雑音をさらに低減し、牽引する用途の電圧を上げるために、マルチレベル構成が一般的になりつつあり、近々、標準構成になることができるレベルにきています。この論文では、窒化ガリウム・ベースのディスクリートFETと集積回路が、電力密度をこれまでにないレベルに高め、サーボ駆動、電動自転車、電動スクーター、協調型の低電圧ロボット、医療用ロボット、産業用ドローン、および自動車で使われるモーターなど、多くの異なる用途で使われる電気モーター向けの高周波PWMインバータに移行することを示します。

技術プレゼンテーション
単純な回路モデルを使ったチップスケール・パッケージ封止のGaN FETの熱特性の迅速な評価 著者:Assaad El Helou、Ph.D.シニア・サーマル・メカニカル・アプリケーション・エンジニア

プリント回路基板に実装したチップスケール・パッケージ(CSP)封止のGaN FETの熱特性を予測し、技術者や設計者が熱管理設計を素早く評価するための使いやすい熱特性評価ツールを提供するための物理ベースの熱モデルを紹介します。GaN FETからプリント回路基板側や「パッケージ」(つまり、チップの露出面)への熱伝導率は、抵抗ネットワーク回路モデリングを使ってモデル化されます。各コンダクタンス経路の熱抵抗は、プリント回路基板の構造(積層、面積、ビア密度)、FETサイズ、および冷却アプローチ(熱伝導材料TIM、ヒートスプレッダ、ヒートシンク)に関連するさまざまなパラメータについて示されています。熱有限要素シミュレーションの包括的なセットが、パラメータのセットに対して実行されました。簡単な「ルックアップ」形式のグラフで示される結果は、フットプリントが小さい場合でも、単純なプリント回路基板設計と熱管理アプローチを使って効果的に冷却すると、GaN FETの電力処理能力を拡大できることを示しています。

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米Digi-Key Electronicsのウエビナ

2021年11月9日 13:00
米Digi-Key Electronicsのウエビナ
場所: オンライン

ウエビナ:超薄型、高電力密度のパワーおよび磁気の設計課題への対応 ―― 米Digi-Key Electronicsの主催

より薄く、より大電力な電子製品の需要は、過去10年間で劇的に増加しています。消費者は、もっと電力を消費できるより薄いソリューションを求めています。より高い電力密度を備えたより薄い電源の需要にどのように対処しますか? 米Digi-Key Electronicsが主催し、独ウルトエレクトロニクスeiSos とEPCが実施するこの「無料」の1時間のトレーニングで、EPCのeGaN FETとパワー・コイルに関するウルトエレクトロニクスの知識によって実現できる超薄型、高電力密度の48 VのDC / DCソリューションを見つけてください。

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