基調講演
Gallium Nitride Integration and the End of Discretes
講演者：Alex Lidow、Ph.D.、Efficient Power ConversionのCEO（最高経営責任者）で共同創立者
GaNオン・シリコン基板を使って形成した集積回路は、7年以上にわたって製造されています。その間、GaNベースのICは、純粋なディスクリート・デバイスからモノリシックのハーフブリッジ・デバイスへ、そして、独自のモノリシック集積化ドライバを搭載したパワーFETへと進化し、最近では、パワーFET、ドライバ、レベル・シフト回路、論理回路、保護回路を含む完全なモノリシック・パワー段へと進化しました。この講演では、GaNオン・シリコンの集積化のロードマップを示して、ディスクリート・トランジスタの役割が今後数年間でゼロ近くまで減少する運命にあることを説明します。
技術プレゼンテーション
極端なGaN：eGaN® FETがデータシートの制限をはるかに超える電圧レベルにさらされた場合に何が起こるか
著者：Alejandro Pozo、Robert Strittmatter、Alex Lidow、Ph.D.
GaNトランジスタ、そして、最近では集積回路が、10年以上にわたって大量生産されており [1]、数10億時間で、実際の最終用途において数1000万の機器が出荷されたと報告しているメーカーもあります。この実績は、非常に成功しており、主な理由の1つは、GaNデバイスが、前任者のシリコンMOSFETよりもはるかに丈夫であることを示しています。最近、Efficient Power Conversion（EPC）は、大きな過電圧ストレスの影響を定量化するために、eGaN FETに対してデータシートの制限を超えて一連のテストを実施しました [3]。この論文では、これらのテストのいくつかの結果を調べ、極端な条件下での長期間の動作によって、電源システムの設計技術者にとって実用的な新しいツールになり得ることを示します。
技術プレゼンテーション
モーター駆動用途向けのGaNデバイス
著者：Marco Palma、モーター駆動システムとアプリケーション部門ディレクタ
直流およびバッテリーで駆動するモーター用途は、従来のシリコンMOSFETの低周波PWM（パルス幅変調）インバータから、GaNの高周波PWMインバータに移行しています。この利点は、より高いシステム効率と電解コンデンサの除去、および入力コイルに依存しています。EMI（電磁干渉）雑音をさらに低減し、牽引する用途の電圧を上げるために、マルチレベル構成が一般的になりつつあり、近々、標準構成になることができるレベルにきています。この論文では、窒化ガリウム・ベースのディスクリートFETと集積回路が、電力密度をこれまでにないレベルに高め、サーボ駆動、電動自転車、電動スクーター、協調型の低電圧ロボット、医療用ロボット、産業用ドローン、および自動車で使われるモーターなど、多くの異なる用途で使われる電気モーター向けの高周波PWMインバータに移行することを示します。
技術プレゼンテーション
単純な回路モデルを使ったチップスケール・パッケージ封止のGaN FETの熱特性の迅速な評価
著者：Assaad El Helou、Ph.D.シニア・サーマル・メカニカル・アプリケーション・エンジニア
プリント回路基板に実装したチップスケール・パッケージ（CSP）封止のGaN FETの熱特性を予測し、技術者や設計者が熱管理設計を素早く評価するための使いやすい熱特性評価ツールを提供するための物理ベースの熱モデルを紹介します。GaN FETからプリント回路基板側や「パッケージ」（つまり、チップの露出面）への熱伝導率は、抵抗ネットワーク回路モデリングを使ってモデル化されます。各コンダクタンス経路の熱抵抗は、プリント回路基板の構造（積層、面積、ビア密度）、FETサイズ、および冷却アプローチ（熱伝導材料TIM、ヒートスプレッダ、ヒートシンク）に関連するさまざまなパラメータについて示されています。熱有限要素シミュレーションの包括的なセットが、パラメータのセットに対して実行されました。簡単な「ルックアップ」形式のグラフで示される結果は、フットプリントが小さい場合でも、単純なプリント回路基板設計と熱管理アプローチを使って効果的に冷却すると、GaN FETの電力処理能力を拡大できることを示しています。
詳細を見て登録