イベント

2020 International Forum on Power Semiconductor Materials (GaN & SiC) Applied Components

2020年10月28日
2020 International Forum on Power Semiconductor Materials (GaN & SiC) Applied Components
場所: 台湾の台北

eGaN技術を使ったデータセンターでのDC-DC変換の課題に立ち向かう 講演者:Michael de Rooij博士、アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント

データセンターの電力需要の増加と48 Vシステムへの変更によって、パワー・コンバータの電力密度への要求が強まっています。eGaN FET、LLC共振コンバータ、先進的な磁性材料などの技術の組み合わせが、これらのパワー・コンバータのサイズを小型化するという課題に対応することができます。このプレゼンテーションでは、48 V入力を12 Vに変換し、1 kWを供給可能で、大きさがわずか58 mm×23 mm×10 mmの1 MHzのLLC共振コンバータにeGaN FET技術を適用した例を説明します。

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設計のヒントのウエビナ

2020年10月28日
設計のヒントのウエビナ
場所: バーチャル・イベント

モーター駆動向けGaNの電力の活用 講演者:Alex Lidow、EPCのCEOで共同創立者
ゲスト・パネリスト:David Lunsetter、アプリケーション・エンジニア米Digi-Key Electronics

時間:午前8:00 太平洋夏時間

Join Digi-Key Electronics and EPC on October 28th, 2020 at 8:00 AM PDT to discover how to harness the power of enhancement-mode gallium nitride (eGaN) FETs and ICs for motor drives.

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Global CEO Summit

2020年11月5日
Global CEO Summit
場所: 中国の深圳

窒化ガリウム集積回路で電力変換を再定義 基調講演者:Alex Lidow(アレックス・リドウ)、Ph.D.、Efficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)で共同創立者

シリコン・ベースであろうと、GaNオン・シリコンであろうと、ディスクリートのパワー・トランジスタは最終章に入っており、GaNの浮上によって、窒化ガリウム集積回路で電力変換が再定義されています。技術者は、GaNベースのソリューションを革新することによって、設計を再考、再構築、活性化すべきです。

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Wireless Power Week 2020

2020年11月15日 - 2020年11月19日
Wireless Power Week 2020
場所: バーチャル・イベント

AirFuel™規格に基づく磁気共振無線伝送の採用を加速するために必要な手順 講演者:Alex Lidow(アレックス・リドウ)、Ph.D.、Efficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)で共同創立者

磁気共振ベースのワイヤレス・パワー伝送の採用は、ゆっくりとしたペースで進んでいますが、この方式が最高のユーザー経験を提供することに、ほとんどの人が同意しています。この講演では、AirFuel™規格に基づく磁気共振ワイヤレス・パワー伝送の採用の転換点になると思われるコスト、効率、利用可能なサポート資源などのいくつかの要因について説明します。

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Power Conference 2020

2020年12月8日 - 2020年12月9日
Power Conference 2020
場所: バーチャル・イベント

あなたのGaN設計の性能を最大化するための簡単な設計のヒント 講演者:Alex Lidow(アレックス・リドウ)、Ph.D.、CEO(最高経営責任者)で共同創立者、EPC

GaNトランジスタは、成熟したパワーMOSFETの動作と非常に似ているため、パワー・システムの技術者は、設計経験を、GaNで可能な性能向上に利用できるという利点があります。このプレゼンテーションでは、初めてGaNを使う設計者が現場で直面する主要な設計上の問題のいくつかを取り上げます。最初に、性能を向上させるための最適なレイアウト手法について説明し、次に、あなたのGaN設計から、さらに多くの電力を引き出すためのいくつかの簡単で安価なヒートシンク手法を概観し、最後に、優れた設計手法と共に、GaNトランジスタの利用法を示します。パワーMOSFETで得られるよりも優れたEMI(電磁干渉)雑音特性が実現できます。

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