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GaNの故障までのテストシリコンよりも丈夫なデバイスを作るために Presented by: Shengke Zhang Manager of Failure Analysis EPC, Alex Lidow , Ph.D., CEO and Co-Founder of Efficient Power Conversion, and Shoichi Yasuda VP of sales for Japan and Korea

ウエビナに参加して、利用方法を学びましょう・・・

• 電圧と温度のすべての範囲にわたるゲート・ストレス下でのeGaNデバイスの寿命を予測するための裏付けとなる証拠を含めた物理ベースの寿命モデル。
• 表面トラップへのホット・キャリア散乱の基本的な物理学から、eGaNの動的オン抵抗R_DS(on)効果を説明するための第一原理数学モデル。このモデルは、より複雑なミッション・プロファイルで電圧と温度のすべてにわたる寿命予測に最も役立ちます。
• 4年間および2260億時間の運用にわたって生成されたフィールド信頼性データ。そのほとんどは、車両に搭載されたか、または、通信基地局で使われています。

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