航空宇宙や防衛のGaNのアプリケーション

ワイヤレス・パワー

複数のデバイス、大面積への給電を簡単に実現

大面積のワイヤレス・パワーによって、車載ワイヤレス・パワーや、現代の兵士が携行する必要のある多数の携帯型電子機器への戦場のワイヤレス・パワーなどが可能になります。特に長時間のミッション中は、これらのシステムを充電して電力を供給し続けることが重要です。正確な位置合わせを必要とせずにワイヤレス・パワーを供給できるため、ミッション時間の延長と安全性の向上が可能になります。

GaN FETとICは、ワイヤレス・パワーでの使用に理想的なスイッチング・デバイスです。動作損失が小さいため、アンプの効率が高くなり、EMI(電磁干渉)雑音の発生を低く抑えることができます。

Industrial GaN Wireless Power

リファレンス・デザイン

航空宇宙や防衛のワイヤレス・パワーのリファレンス・デザイン

產品型號 描述 VIN VOUT lOUT
(A)
氮化鎵器件型號  
EPC9157 開發板
EPC9509 AirFuelクラス3、16 W、ZVSのD級アンプ 17 V - 24 V 52 V 1 A EPC2108
EPC2036
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EPC9510 開發板
EPC9510 AirFuelクラス2、10 W、ZVSのD級アンプ 17 V - 24 V 66 V 0.8 A EPC2107
EPC2036
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EPC9512 開發板
EPC9512 AirFuelクラス4、33 W、ZVSのD級アンプ モードに依存 80 V 1.8 A EPC8010
EPC2038
EPC2019
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EPC9065 開發板
EPC9065 AirFuelクラス5、60 W、ZVSのD級アンプ 12 V (max VDD) 80 V 1.8 ARMS EPC2007C
EPC2038
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EPC9511 開發板
EPC9511 10 Wのマルチモード・ワイヤレス・パワー・アンプ 17 V - 24 V 66 V/26 V 1.7 A EPC2107
EPC2038
EPC2036
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我們的應用團隊不斷致力於推出新的參考設計。如果網頁上列出的所有電路板未能滿足您的要求,請向氮化鎵專家提問和與我們聯繫以進一步討論您的應用。

半橋開發板可用於快速評估大多數 eGaN FET 和 IC。

製品

航空宇宙や防衛のワイヤレス・パワー向け推奨デバイス

型番 狀況 構成 VDS
最大
VGS
最大
最大
RDS(on)
(mΩ)
@5VGS
QG
標準値
(nC)
QGS
標準値
(nC)
QGD
標準値
(nC)
QOSS
標準値
(nC)
ID (A) パルス ID
(A)
パッケージ
(mm)
EPC8004 Active シングル 40 6 110 0.37 0.12 0.047 0.63 4 7.5 LGA 2.05 x 0.85 購入
EPC2014C Active シングル 40 6 16 2 0.7 0.3 4 10 60 LGA 1.7 x 1.1 購入
EPC2035 Active シングル 60 6 45 0.88 0.25 0.16 2.6 1.7 24 BGA 0.9 x 0.9 購入
EPC8002 Active シングル 65 6 480 0.133 0.057 0.015 0.344 2 2 LGA 2.05 x 0.85 購入
EPC8009 Active シングル 65 6 130 0.37 0.12 0.055 0.94 4 7.5 LGA 2.05 x 0.85 購入
EPC2038 Active ゲート・ダイオード内蔵のシングル 100 6 3300 0.044 0.02 0.004 0.134 0.5 0.5 BGA 0.9 x 0.9 購入
EPC2038 Active ゲート・ダイオード内蔵のシングル 6 BGA 0.9 x 0.9 購入
EPC2037 Active シングル 100 6 550 0.115 0.032 0.025 0.6 1.7 2.4 BGA 0.9 x 0.9 購入
EPC2107 Active 同期ブートストラップ内蔵のデュアル 100 6 390 0.19 0.077 0.041 0.9 1.7 3.8 BGA 1.35 x 1.35 購入
EPC2107 Active 同期ブートストラップ内蔵のデュアル 100 6 390 0.19 0.077 0.041 1.25 1.7 3.8 BGA 1.35 x 1.35 購入
EPC2107 Active 同期ブートストラップ内蔵のデュアル 100 6 3300 0.044 0.02 0.004 0.134 0.5 0.5 BGA 1.35 x 1.35 購入
EPC8010 Active シングル 100 6 160 0.36 0.13 0.06 2.2 4 7.5 LGA 2.05 x 0.85 購入
EPC7003 Engr シングル放射線耐性 100 6 30 1.8 0.6 0.3 9.4 10 42 LGA 1.7 x 1.1 EPCに問い合わせ
EPC2012C Active シングル 200 6 100 1 0.3 0.2 10 5 22 LGA 1.7 x 0.9 購入
GaN Power Bench

あなたの設計プロセスを支援するために、クロス・レファレンス検、設計ツール、モデル、およびGaN Power Benchの特性シミュレーションにアクセスしてください。

EPCのGaN FETとICの製品ポートフォリオ全体を見る

ビデオ

技術資料

ワイヤレス・ハンドブック

ワイヤレス・パワーを実装するための主な課題は、アンプの設計です。このハンドブックの目的は、放射EMI(電磁干渉)雑音、マルチモード・システム、効率改善の方法など、ワイヤレス・パワー用のアンプを設計するときの多くの課題を理解することです。

ワイヤレス・パワー伝送の3部作

書籍「ワイヤレス・パワー伝送の3部作」は、3つのパートで構成されています。すなわち、ワイヤレス・パワー伝送の基本原理、ワイヤレス・パワー伝送システムと応用です。この本の価格は19ユーロで、ウルトエレクトロニクスeiSosまたは書店で注文できます。

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