包絡線追跡

高周波、低消費電力、システム・コストの削減

包絡線追跡は、今日の固定電源システムとは対照的に、電力需要を追跡することによって、RFパワー・アンプのエネルギー効率を改善するための電源技術です。包絡線追跡を使うと、携帯電話では、通話時間が長くなり、基地局では、エネルギー消費がはるかに少なくなり、運用コストが下がり、より小型で安価なアンプになります。

サブナノ秒程度のスイッチング遷移速度の窒化ガリウム・パワー・トランジスタは、ET（包絡線追跡）コンバータと広帯域幅RFパワー・アンプの設計の両方を実現する技術です。GaN FETの超高速スイッチング能力によって、包絡線追跡で使われるマルチフェーズの高周波バック・コンバータやその他のパワー・マネージメント（電源管理）回路構成が可能になります。

リファレンス・デザイン

高速ハーフブリッジ開発基板

型番	構成	V_IN	V_OUT	l_OUT (A)	搭載製品
TIDA-01634	高速DC/DC向けのマルチMHz（最大50 MHz）のGaNパワー段リファレンス・デザイン	20 ~ 60	5 ~ V_IN-5	5	EPC8009	購入
EPC9066	同期ブートストラップ付きハーフブリッジとドライバ	32	40	2.7	EPC8004	購入
EPC9067	同期ブートストラップ付きハーフブリッジとドライバ	52	65	2.7	EPC8009	購入
EPC9068	同期ブートストラップ付きハーフブリッジとドライバ	80	100	2.7	EPC8010	購入

EPCのアプリケーション・チームは常に、新しいリファレンス・デザインに取り組んでいます。リストされている基板で満たされていない要件がある場合は、「GaNのエキスパートに聞」から当社に連絡し、あなたのアプリケーションについてさらに話し合ってください。

ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。

製品

包絡線追跡向けの推奨デバイス

型番	狀況	構成	V_DS 最大	V_GS 最大	最大 R_DS(on) (mΩ) @5V_GS	Q_G 標準値 (nC)	Q_GS 標準値 (nC)	Q_GD 標準値 (nC)	Q_OSS 標準値 (nC)	I_D (A)	パルス I_D (A)	パッケージ (mm)
EPC8004	Active	シングル	40	6	110	0.37	0.12	0.047	0.63	4	7.5	LGA 2.05 x 0.85	購入
EPC8002	Active	シングル	65	6	480	0.133	0.057	0.015	0.344	2	2	LGA 2.05 x 0.85	購入
EPC8009	Active	シングル	65	6	130	0.37	0.12	0.055	0.94	4	7.5	LGA 2.05 x 0.85	購入
EPC2038	Active	ゲート・ダイオード内蔵のシングル	100	6	3300	0.044	0.02	0.004	0.134	0.5	0.5	BGA 0.9 x 0.9	購入
EPC2038	Active	ゲート・ダイオード内蔵のシングル	6									BGA 0.9 x 0.9	購入
EPC2037	Active	シングル	100	6	550	0.115	0.032	0.025	0.6	1.7	2.4	BGA 0.9 x 0.9	購入
EPC8010	Active	シングル	100	6	160	0.36	0.13	0.06	2.2	4	7.5	LGA 2.05 x 0.85	購入
EPC2051	Preferred	シングル	100	6	25	1.8	0.6	0.3	7.3	1.7	37	BGA 0.85 x 1.3	購入