スイッチング損失と導通損失が低いため、48 Vシステムの効率が向上します
GaNは小さな実装面積で大出力をサポートし、小型で電力密度の高い設計に最適です。
GaNデバイスは発熱が少なく、信頼性が向上し、より高密度な設計が可能になります。