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GaNのエキスパートに聞く
リファレンス・デザインの技術パートナ
技術パートナは、最先端の設計にeGaN FETとICを組み込む方法を示します
セレクタ・ガイド
DC-DC
ベンダー
型番
概要
Vin
Vout
Iout
搭載eGaN FET
Nuvoton
KM1M7CF04
高周波数LLC DC-DCソリューション
48
12
EPC2619
スウェーデンFlex Power Modules社
BMR313
安定化していない非絶縁型デジタルIBC、1 kW連続/3 kWピーク
38 V – 60 V
9.5 V – 15 V
80 A
EPC2218
ルネサスエレクトロニクス
ISL71040MEV1Z
耐放射線特性を強化したローサイドGaN FETドライバ評価基板
4.5V - 13.2V
EPC2022
ルネサスエレクトロニクス
ISL81807EVAL1Z
広い入力範囲の2相評価基板
12 V – 36 V
36V/48V/60V/80V
20.5 A
EPC2218
台湾Richtek Technology
EVB_RT6190GQW_02
USB PD用I2Cインタフェースを備えた双方向昇降圧コントローラ
12 V – 24 V
5 V – 28 V
5 A
EPC2204
米アナログ・デバイセズ
EVAL-LTC7890-AZ
高周波、デュアル出力、降圧電源
14 V - 72 V
5 Vと20 V
20 A
EPC2218
米アナログ・デバイセズ
EVAL-LTC7891-AZ
高周波、デュアル出力、降圧電源
15 V – 72 V
12 V
20 A
EPC2218
米アナログ・デバイセズ
EVAL-LT8418-BZ
100V LT8418ゲートドライバを搭載したハーフブリッジボード
≤80V
≤80V
10 A
EPC2204
米アナログ・デバイセズ
EVAL_LT8390A
LT8390Aコントローラを搭載した4スイッチ昇降圧コンバータ
8 V – 60 V
24 V
5 A
EPC2218
米アナログ・デバイセズ
EVAL-LTC7891-BZ
高周波ステップダウンコントローラ (40V GaN FET搭載)
15V – 36V
12V
25A
EPC2067
米アナログ・デバイセズ
EVAL-LTC7893-AZ
高周波昇圧コントローラ (GaN FET搭載)
8V – 36V
48V
18A
EPC2088
米テキサス・インスツルメンツ社
PMP4435
48Vin、300Wの1/8ブリック・デジタル・モジュール
36V - 60V
12V
25A
EPC2021
米テキサス・インスツルメンツ社
LMG5200POLEVM-10
48 V入力、1 V出力のGaN負荷点(POL)評価モジュール
36V – 75V
0.5V – 1.5V
50A
EPC2023
米テキサス・インスツルメンツ社
PMP4497
48 V入力、1 V出力の1段のコンバータ
36V - 60V
1V
40A
EPC2023
米テキサス・インスツルメンツ社
TIDA-01634
高速DC / DCコンバータ向けの
数MHzのGaNパワー段リファレンス・デザイン
0V - 60V
10A
EPC2039
EPC8009
米テキサス・インスツルメンツ社
PMP22519
データセンターの2段54 V POL向けの安定化していないLLCモジュールのリファレンス・デザイン
40V-60V
6.6V-10V
75A
EPC2045
米テキサス・インスツルメンツ社
PMP20978
GaNの同期整流付き1 kWの共振コンバータ
390V
48V
21A
EPC2033
米テキサス・インスツルメンツ社
PMP22089
28 V入力、1 V出力の1段のコンバータ
24V – 32V
0.5V - 1.0V
40A
EPC2023
米テキサス・インスツルメンツ社
PMP4486
48 V入力、POL出力、3出力(1段のコンバータ)
36V – 60V
1V, 12V, & 29V
40 A, 10 A, & 10 A
EPC2023
米テキサス・インスツルメンツ社
PMP22951
アクティブ クランプ搭載、54V、3kW 位相シフト フルブリッジのリファレンス デザイン
350 V – 400 V
54 V
56 A
EPC2302
EPC2059
米マイクロチップ・テクノロジー社
EV78U64A
広い範囲、2相バック、MIC2132。最大8相、適応型オンタイム制御
36 V – 60 V
12 V
20 A
EPC2218
D級オーディオ
ベンダー
型番
概要
出力電力
周波数応答
搭載eGaN FET
Elegant Audio Solutions
DigiGaN-200S
DSP付き高性能D級eGaN FETアンプ・モジュール
50 W x 4 / 8 Ω
200 W x 2 / 8 Ω
20Hz-20kHz +/-0.2dB
EPC2016C
Elegant Audio Solutions
DigiGaN-400S
DSP付き高性能D級eGaN FETアンプ・モジュール
100 W x 4 / 8 Ω
400 W x 2 / 8 Ω
20Hz-20kHz +/-0.2dB
EPC2034C
Elegant Audio Solutions
eGaNAMP2001
高性能D級eGaN FETアンプのモジュール
200 W x 4 / 8 Ω
400 W x 2 / 8 Ω
20Hz-20kHz +/-0.5dB
EPC2016C
Elegant Audio Solutions
eGaNAMP1002
高性能D級eGaN FETアンプのモジュール
100 W x 4 / 8 Ω
400 W x 2 / 8 Ω
20Hz-20kHz +/-0.5dB
EPC2034C
LiDAR
ベンダー
型番
概要
最大パルス
(A)
パルス幅
eGaN搭載製品
米テキサス・インスツルメンツ社
LMG1020EVM-006
LiDAR評価モジュール
40
1 ns - 2 ns
EPC2019
米テキサス・インスツルメンツ社
TIDA-01573
LiDAR用ナノ秒レーザー・ドライバのリファレンス・デザイン
60
1 ns
EPC2019
モーター駆動
ベンダー
型番
概要
直流入力
1相当たりの最大電流
スイッチング周波数
搭載eGaN FET
独シーメンス社
SDI-TAPAS
300 WのDCブラシレス・モーター駆動
12 V - 48 V
30 A
最高600 kHz
EPC2021
サポート資料
アプリケーション・ノート:eGaN FETとICのアセンブリ
ビデオ:eGaN FETとICのアセンブリ
このほかの設計
ハーフブリッジ評価基板
ハーフブリッジ開発基板には、最適なスイッチング特性を得るために、単一基板上にすべての重要な部品が搭載され、レイアウトされています
特定用途向け評価基板
全回路の評価キットは、完全に機能する設計において、EPCのeGaN FETとICの特性を実証できます