当社の最新世代の技術は、デバイスのサイズを半分に小型化し、特性を3倍に高めます。このコスト削減と特性向上は、eGaN® FETおよびICと、成熟したパワーMOSFETとの間の特性とコストのギャップを拡大する「好循環」を作り出します。
- 小さな実装面積：はるかに大きな特性向上
100 Vにおいて、eGaN FETは、最先端のシリコンMOSFET に対して、RDS(on)×チップ面積で4倍の優位性を備えました。200 Vでは、この優位性は、16倍へとジャンプします！
- 性能指数FOM（Figure of Merit）の改善
この最新世代のeGaN FETは、高周波の電力変換アプリケーションにおけるスイッチング特性を向上させるために、100 Vではシリコンよりも4倍、200 Vでは8倍の優位性を実現できます。
- 特性向上によるアプリケーションへのメリット
100 VのEPC2045を使った例では、スイッチング周波数500 kHzで動作する48 V入力、5 V出力の回路において、同程度の最高のMOSFETと比べて、効率を2.5パーセント・ポイント改善し、電力損失を30％低減できました。
最新の100 VのeGaN FETに対する新たなアプリケーションには、48 V入力から負荷への1段のオープン・ラック・サーバー・アーキテクチャ、LiDAR（光による検出と距離の測定）、USB-C、POL（負荷点）コンバータ、D級オーディオ、LED（発光ダイオード）照明、低インダクタンスのモーター駆動、そして。
GaNは、シリコンを上回る特性で、もう1つの飛躍的な進歩を遂げます
加えて、最新の200 Vの eGaN FETには、無線充電、マルチレベルAC-DC電源、同期整流（48 VOUT）、ロボット、太陽光発電用マイクロインバータが理想的なアプリケーションです。
New GaN transistors get put through their paces
データシートの概要
| EPC2045 |
シングル |
100 |
7 |
5.2 |
1.1 |
21 |
130 |
BGA 2.5 x 1.5 |
購入 |
| EPC2047 |
シングル |
200 |
10 |
8.2 |
1.8 |
60 |
160 |
BGA 4.5 x 1.6 |
購入 |
| EPC2046 |
シングル |
200 |
25 |
2.9 |
0.6 |
22 |
55 |
BGA 2.8 x 0.95 |
購入 |
プロトタイプを迅速に作るためのハーフブリッジ開発基板