窒化ガリウムFETベースの電力変換システムは、シリコン・ベースの代替システムよりも高効率で、電力密度が高く、システム全体のコストを削減できます。これらの優れた特性によって、eGaN FETの性能をさらに強化するゲート・ドライバ、コントローラ、受動部品などのパワー・エレクトロニクス部品のエコシステムが増え続けています。
台湾uPI Semiconductor、米テキサス・インスツルメンツ、米マイクロチップ・テクノロジーなどの半導体サプライヤは、GaNベースの設計に対して拡大し続ける需要を満たすために、ドライバやコントローラを製品化し続けています。
以下は、eGaN FETと互換性のある既存のICのリストです。