統合されたGaNパワー：
効率と電力密度を向上

Integrated GaN Power: Increase Efficiency and Power Density
EPC9036：12 V - 1.2 Vの開発基板

製品化されたエンハンスメント・モードのモノリシック・ハーフブリッジGaNトランジスタは、eGaN®技術と伝統的なシリコンとの効率の差を一段と広げます。モノリシックのハーフブリッジ・デバイスは、スペースを節約し、効率を改善し、システム・コストを削減します。 costs.

  • 効率の向上
    モノリシックのハーフブリッジ・デバイスは、相互接続インダクタンスを除去しているので、特に高い周波数において、効率が改善されます。
  • 基板スペースを節約
    モノリシック・デバイスは、プリント回路基板におけるパワー段の実装面積を60％削減します。
  • GaNの単純化
    モノリシック・デバイスは、アセンブリ・コストを削減すると同時に、製造効率を高めます。

Monolithic GaN Schematic

データシートの概要

高降圧比のアプリケーション用非対称ハーフブリッジ・デバイス

EPCの型番 耐圧 最大 RDS(on) の標準値 (mΩ) (VGS = 5 V) パルス IDの最大ピーク（A）
(25°C, Tpulse = 300 µs)		 開発基板
    Q1 制御用
FET		 Q2 同期整流用
FET		 Q1 制御用l
FET 		Q2 同期整流用
FET		  
EPC2111 30 19 8 50 140 N/A
EPC2100 30 8.2 2.1 100 400 EPC9036
EPC2101 60 11.5 2.8 80 350 EPC9037
EPC2105 80 14.5 3.6 70 300 EPC9041

デューティ比50％の低降圧比のアプリケーション用対称ハーフブリッジ・デバイス

EPCの型番 耐圧 最大 RDS(on) の標準値 (mΩ) (VGS = 5 V) パルス IDの最大ピーク（A）
(25°C, Tpulse = 300 µs)		 開発基板
EPC2102 60 4.9 220 EPC9038
EPC2103 80 5.5 195 EPC9039
EPC2104 100 6.8 180 EPC9040

アプリケーション・ノート

DC-DCの効率と電力密度を向上するためのGaNの統合

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