eGaN®パワー・トランジスタは、電力変換特性の水準を上げ続けています。第4世代eGaN FETは30 V〜200 Vの範囲で、成熟したパワーMOSFETと窒化ガリウム・ベースのトランジスタの間の特性の差を大きく広げます。低オン抵抗、低容量、大電流、優れた熱特性は、電力変換効率98％以上を実現できます。
- 低オン抵抗 (RDS(on))
eGaN FETの新しいファミリーは、オン抵抗（RDS(on))を半分に低減し、大電流、大電力密度のアプリケーションを可能にします。
- 性能指数FOM（Figure of Merit）の改善
eGaN FETの最新世代は、高周波電力変換のアプリケーションにおいてスイッチング特性を改善するために、前世代と比較してハードスイッチングのFOMを半分に低減します。
- 拡張された電圧範囲
GaNの特性の利点を30 Vまで拡張することは、絶縁型電源や、パソコン、サーバー向けの大電力のDC-DCコンバータ、POL（負荷点）コンバータ、同期整流器への応用を可能にします。