EPC2019：エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 200 V
RDS(on), 42 mΩ
ID, 8.5 A
パルス ID, 45 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2019 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：2.77 mm × 0.95 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • 絶縁型DC-DCコンバータ
  • BLDCモーター駆動
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流
  • D級オーディオ
  • LED照明

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
ステータス:新しいデバイスが提供されました（NDO）
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC2054を提案しています。NDO（新しいデバイスが提供されました）注：これは以前の世代のデバイスであり、完全にサポートされています。ただし、推奨するデバイスは、ほとんどのアプリケーションでより優れた価格と性能を提供します。
購入

代理店を探す
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

EPCのeGaN FETと
ICについて質問が
ありますか？
GaNエキスパートに聞く

あなたも
興味があるなら

データシート

評価基板

品質と信頼性

設計資料

アプリケーション・ノート

評価基板

デバイス・モデル

関連ビデオ

第4世代eGaN® FET

製品変更告知PCN（製品変更告知PCN（Product Change Notice））