EPC2022：エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 100 V
RDS(on), 3.2 mΩ
ID, 90 A
パルス ID, 390 A
TJ150°C
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2022 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：6.05 mm × 2.3 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • 絶縁型DC-DCコンバータ
  • BLDCモーター駆動
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流
  • 突入保護
  • D級オーディオ

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
  • 低 RDS(on)：大電流動作
ステータス:新しいデバイスが提供されました（NDO）
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC2088を提案しています。NDO（新しいデバイスが提供されました）注：これは以前の世代のデバイスであり、完全にサポートされています。ただし、推奨するデバイスは、ほとんどのアプリケーションでより優れた価格と性能を提供します。
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