EPC2302とペアで、最高65 Aのパワー段を形成します
統合されたハーフブリッジ・ドライバ、
ブートストラップ、ハイサイドFET
パワー段の負荷電流（1 MHz）、65 A
最大入力電圧、100 V
特徴
- ゲート・ドライバを備えた統合ハイサイドeGaN® FET
- ハイサイドFETのオン抵抗DSon、3.3 mΩ
- 外付けのローサイドeGaN FETを駆動するためのゲート・ドライバ出力
- 5 Vの外部バイアス電源
- ハイサイドとローサイドの独立した制御入力
- 3.3 Vまたは5 VのCMOS入力論理レベル
- 高いスイッチング周波数、最高3 MHz
- ハード・スイッチングおよびソフト・スイッチングの条件で動作する丈夫なレベル・シフト回路
- 高速スイッチング遷移時の誤ったトリガー耐性
- ハイサイドのブートストラップ電源の同期充電
- 内蔵ハイサイド・バイアス電源のUVLO（低電圧ロックアウト）
- 2つのデバイス間のピン配置が最適化されたQFNパッケージ封止の互換性のあるハイサイド・デバイスとローサイド・デバイスのチップ・セット（EPC2302を参照）
- 露出した表面（Rthjc＝0.4℃/W）と濡れやすい側面を備えた熱的に強化されたパッケージ
アプリケーション
- 高周波DC-DCコンバータ
- バック、ブースト、ハーフブリッジ、フルブリッジ、LLCコンバータ
- BLDCモーター駆動
ステータス:エンジニアリング
購入時にサフィックスENG *で指定されたエンジニアリング・デバイスは、エンジニアリング・ステータスなので、各地域のフィールド・アプリケーション・エンジニアに最新のステータスを問い合わせずに、信頼性ストレス試験やその他の品質試験に使わないでください。