ゲート・ドライバとレベル・シフト回路を集積したハイサイドとローサイドの eGaN® FET
パワー段負荷電流（1 MHz）、35 A
最大入力電圧、100 V
パッケージ面積：3.5 mm × 5 mm
特徴
- 5 V の外部バイアス電源
- 3.3 V または 5 VのCMOS 入力論理レベル
- ハイサイドとローサイドの独立した制御入力
- 論理ロックアウトは、両方の入力が同時にハイになると、両方の FET をオフにします。
- SWスイッチング時間と、レール以上およびグラウンド以下の過電圧スパイクを調整するための外付け抵抗
- ハードスイッチングおよびソフトスイッチングの条件で動作する丈夫なレベル・シフト回路
- 高速スイッチング遷移からの誤トリガー耐性
- ハイサイド・ブートストラップ電源の同期充電
- ディセーブル入力によって、VDRV電源からの低静止電流モードが動作。
- ローサイド VDD電源のパワー・オン・リセット
- ハイサイドVBOOT電源の低電圧ロックアウト
- VDRV電源の損失を伴うハイサイドFETとローサイドFET のアクティブ・ゲート・プルダウン
- 接合部から上面のヒートシンクまでの熱抵抗を低く抑えるため、上部が露出した熱的に強化された QFN パッケージ
アプリケーション
- バック（降圧）、ブースト（昇圧）、昇降圧のコンバータ
- ハーフブリッジ、フルブリッジの LLC コンバータ
- モーター駆動用インバータ
- D級 オーディオ・アンプ
ステータス:エンジニアリング
購入時にサフィックスENG *で指定されたエンジニアリング・デバイスは、エンジニアリング・ステータスなので、各地域のフィールド・アプリケーション・エンジニアに最新のステータスを問い合わせずに、信頼性ストレス試験やその他の品質試験に使わないでください。