ゲート・ドライバ、レベルシフト回路、ブートストラップ充電、ゲート駆動バッファ回路を集積したハイサイドとローサイドのeGaN® FET パワー段負荷電流(1 MHz)、25 A 最大入力電圧、100 V
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これらの低コストの評価オプションを使って、 今日から設計を初めてください: