EPC2815：エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 40 V
RDS(on), 4 mΩ
ID, 33 A
高鉛バンプ
仕上げ：95％Pb / 5％Sn

EPC2815 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：4.1 mm x 1.6 mm

アプリケーション

  • 高速DC-DC変換
  • 高周波のハード・スイッチングとソフト・スイッチング
  • D級オーディオ

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
廃止されたデバイス
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このデバイスの鉛フリー版については、 EPC2001Cを参照してください。
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