EPC2818:エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 150 V
RDS(on), 25 mΩ
ID, 12 A
高鉛バンプ
仕上げ:95%Pb / 5%Sn

EPC2818 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:4.1 mm x 1.6 mm

アプリケーション

  • 高速DC-DC変換
  • 高周波のハード・スイッチングとソフト・スイッチング
  • D級オーディオ

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
廃止されたデバイス
[email protected]にお問い合わせください。
このデバイスの鉛フリー版については、 EPC2010Cを参照してください。

データシート

評価基板

品質と信頼性

設計資料

アプリケーション・ノート

設計例

デバイス・モデル