GaN ICがワイヤレス・パワーの火付け役になります

Wireless Power Market

  • GaN集積回路(IC)は、共振型ワイヤレス・パワー伝送のアプリケーション向けに特別に設計されました。
    • ブートストラップFETを集積したGaNハーフブリッジ
  • 非常に高効率なエンド・ユーザー・システムの迅速な設計が可能で、ワイヤレス・パワー伝送の大量採用の段階に対応
  • 超小型なチップスケール・パッケージがシステム全体のサイズを削減
  • 部品点数の削減:3個のFETに対してGaNデバイス1個で済む!
EPC2107, EPC2108 GaN

データシートの概要

GaN集積回路

型番 VDS オン抵抗RDS(ON)
(標準値)
出力電荷QOSS
(標準値)
Q1 :制御用 FET Q2:同期整流用FET ブートストラップFET Q1 :制御用 FET Q2:同期整流用FET ブートストラップFET
EPC2107 100 390 mΩ 390 mΩ 2.1 Ω 900 pC 1250 pC 134 pC
EPC2108 60 240 mΩ 240 mΩ 2.1 Ω 710 pC 930 pC 134 pC

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A4WP互換のデモ・キットは、製品を市場に投入するまでの時間を短縮します

Wireless Power Demo Board

デモ・キットには、給電基板(送信機、またはパワー・アンプ)、A4WP互換の給電コイル(送信コイル)、とA4WP互換の受電コイルと共に、整流器と直流平滑コンデンサも搭載しています。

型番 クラス 出力電力 動作周波数
EPC9113 3 16 W 6.78 MHz
EPC9114 2 10 W 6.78 MHz

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A4WPのRezence規格準拠の電源製品を設計することに加えて、EPCは、マルチモード動作やEMI(電磁干渉)雑音などのワイヤレス・パワー・システムの設計課題に対処することに焦点を当てた書籍「Wireless Power Handbook」を出版しています。

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