設計サポート

我々は、シリコンパワーMOSFETの30年間の開発の経験によって、新しい技術を使うためにはそれが容易に導入されることを示すことが大事だと知りました。この原則が、EPCのエンハンスメントモード窒化ガリウム（GaN）トランジスタの設計を導いています。EPCは、顧客の設計の中でeGaN FETの能力を十分に引き出すことを支援するために、広範囲の製品トレーニング資料を提供し続けます。

GaNデバイスの使用の詳細については、電子ブック「Basics of Using GaN in Power Applications」と「Design Tips for Using GaN in Power Applications」をダウンロードしてください。