Alex Lidow、David Reusch、Johan Strydom、Efficient Power Conversion Corporation
窒化ガリウムは、シリコン結晶上に成長させて、エンハンスメント・モード(eGaN®)FETを形成すると、ワイヤレス・パワー伝送、LiDAR(光による検出と距離の測定)、包絡線追跡など、いくつかの驚くべき新しい最終用途が実現できます [1]。eGaN FETは、AC-DCやDC-DCの電力変換など、ほとんどの既存のアプリケーションでシリコン・ベースのパワーMOSFETに置き換えることもできます。しかも、大幅な特性の向上をもたらします。この報酬は、現在、成熟した主役によって支配されている120億米ドルの市場です。
GaN技術の旅は始まったばかりです。私たちは、まだ、その理論的性能限界から遠くにいます。少なくとも今後10年間は、2年から4年ごとに製品の性能を2倍にする――マイクロプロセッサ技術の成長を予測したこのムーアの法則を思い起こさせる改善率を期待することは、まったく妥当なことです(図1)。
eGaN FETに対するムーアの法則
図1:eGaN FETの性能は、より小さなフォーム・ファクタで性能が向上する結果、2年ごとに2倍に改善すると予想されています
単なる性能とコストの改善を越えて、電力変換市場に影響を与えるためのGaN技術の最大のチャンスは、同一半導体基板上に複数のデバイスを集積できるという本質的な能力から来ます。将来的に、GaN技術は、一般的なシリコンIC技術とは対照的に、より簡単かつコスト効率の高い方法で、単一チップ上にモノリシックのパワー・システムを実現することを可能にするでしょう。
今日、電力変換に使われる最も一般的なビルディング・ブロックは、ハーフブリッジです。したがって、ハーフブリッジは、パワー・システム・オン・チップに向けた旅の出発点になり得ます。

図2:チップスケール・パッケージに収めたモノリシックのハーフブリッジを形成するワン・チップ上に集積された2個のeGaN FET(バンプ側)

図3:図2のデバイスのピン配置
図2は、初めて製品化されたエンハンスメント・モードでモノリシックのハーフブリッジGaN集積回路ファミリーの写真です。このファミリーの最初の製品であるEPC2100の定格電圧は30 V。各デバイスの定格電圧は30 V。上側のFET(Q1)のオン抵抗RDS(on)は標準値で6mΩ、下側のFET(Q2)のRDS(on)は標準1.5mΩです。これは、スイッチング速度と熱特性を改善するためのチップスケール・パッケージで提供され、面積は6mm×2.3mmです。デバイスのピン配置を図3に示します。Gate 1は、ハイサイドのゲート・ピン。GR1は、ハイサイドのゲート戻りピン。Gate 2は、ローサイドのゲート・ピンです。VSWは、ハーフブリッジのスイッチ・ノードで、プリント回路基板上に並列に接続されている35個の個別のはんだピンで構成されています。VINは、上側FET(Q1)のドレインに供給される入力電圧で、8個の並列接続されたピンで構成されています。PGNDは、下側FET(Q2)のソース端子のパワー・グラウンド接続で、29個の並列接続されたはんだピンを備えています。2個のパワーFETを単一のモノリシック・デバイスに集積化することで、相互接続インダクタンスと、プリント回路基板上で必要だった間隔が省かれます。これは、アセンブリ・コストを削減すると同時に、効率(特により高い周波数において)と電力密度の両方を向上させます。
表1に、ハーフブリッジICファミリーのすべてのデバイスを示します。ハーフブリッジICファミリーのうちの3品種は、図4に示すようなVIN / VOUT比が大きいバック(降圧型)・コンバータにおいてDC-DC変換の効率を最適化するために、ハイサイドFETのサイズがローサイド・デバイスの約1/4になっています。例えば、ブリック電源、モーター駆動、D級オーディオなど、対称なチップ・サイズが望まれるアプリケーション向けのハーフブリッジICファミリーのうちの品種は、図2や図3に示すように、ハイサイドFETとローサイド・デバイスのサイズが等しいチップになっています。な
ハーフブリッジ製品の究極的なファミリーのこの最初の例では、ハイサイドFETは、図4に示すような高いVIN/VOUT比のバック(降圧型)・コンバータにおける効率的なDC-DC変換を最適化するために、ローサイド・デバイスのサイズの約1/4になっています。

図4:12 V
IN、1.2V
OUTのバック・コンバータ。左は回路図、右はeGaNハーフブリッジEPC2100の実際の回路。

図5:500 kHzと1 MHzでのハーフブリッジEPC2100搭載のバック・コンバータの全体の効率
この回路の効率の測定結果が図5です。500 kHzにおいて、この完全なバック・コンバータのピーク効率は、10 A で93%弱、20 Aでの効率は90.5%を超えています。
高集積化の利点は、より高い周波数で、より明確になります。図6は、1 MHzと4 MHzで動作する2つのバック・コンバータの間の比較です。青色の線は、ディスクリートのeGaN FETを使って構成したコンバータを表しています。黒色の線は、モノリシックのハーフブリッジEPC2100で構成されたバック・コンバータです。ハーフブリッジは、2個のディスクリートFETの合計のチップ面積よりも33%小さく、この結果、同期整流用FET(Q2)のオン抵抗は約50%大きくなります。したがって、低い周波数および大電流では、モノリシックのハーフブリッジを搭載したバック・コンバータは、効率が低くなります。しかし、周波数が4 MHzに高まると、図6に示すように、モノリシックのハーフブリッジの効率は、ディスクリートの構成よりもピーク効率で約2%上回っています。
最適なパワー・ループのレイアウトと合わせて、チップ間の空間を省くことで、パワー・ループ全体のインダクタンスを200pH以下に大幅に小さくできます。これは、ディスクリート・デバイスEPC2015を使ったときの結果の半分以下です [2]。この結果、図7に示すように、電圧遷移はナノ秒レンジの2/3となり、25Aでスイッチングしたときのオーバーシュートは、わずか3.6 Vでした。

図7:EPC2100のスイッチ・ノード波形。V
IN=12 VからV
OUT=1.2 Vへ、I
OUT=25 A、1 MHzのとき、 立ち上がり時間は650 ps、降下時間は750 psでした
さて、より高い入力電圧のPOL変換を見てみましょう。図8は、EPC2101を搭載し、500 kHzで動作するコンバータの効率です。この耐圧60 VのハーフブリッジeGaN ICは、はるかに高いバス電圧で変換することができます。例えば、28 Vや42 Vから直接1 Vに効率的に変換できます。図9は、この変換のスイッチ・ノード波形です。

図8:ハーフブリッジEPC2101を搭載したバック・コンバータ全体の効率

図9: V
IN=42 V、V
OUT=1 V、I
OUT=20A、fSW=500 kHzのときのスイッチ・ノード電圧
よより高い入力電圧でもPOL変換可能です。図10は、EPC2105を搭載し、500 kHzで動作するコンバータの効率です。耐圧80 VのハーフブリッジeGaN ICは、48 Vから直接1 Vに効率的に変換することができます。完全なバック・コンバータ・システムで、16 Aのときのピーク効率80%が得られています。この変換は、データ通信システムにおいて、この電圧変換のために通常必要な2段階にする必要がありません。

図10:ハーフブリッジICのEPC2105を搭載したバック・コンバータと、ディスクリートのeGaN FETの場合との効率の比較
V
IN = 48 V、 V
OUT = 1 V
デバイス面積の比率が対称であることが望ましいアプリケーションに対しては、80 VのEPC2103と60 V のEPC2102があり、図2に示すように、同じサイズの2つのFETを集積したモノリシックのハーフブリッジeGaN ICです。48 VIN から12 VOUT へのPOLバック・コンバータのシステム全体の効率を図11に示します。より大きなデューティ比で、より小さな降圧比に対して、図11から分かるように、対称ハーフブリッジは、より高い効率が得られます。対称ハーフブリッジのeGaN ICは、スイッチング速度も高速であることが立ち下がり時間と降下時間から分かります。図12に示すように、入力電圧48 V、出力電流20 Aのときに、それぞれ2.1 nsと1.4 nsです。
ディスクリートのeGaN FETは、ほぼ5年間、大量生産され、シリコンMOSFETの従来のアプリケーションの多くに浸透してきています。この比較的新しい技術は、より速い学習曲線に乗っているので、効率の差が拡大してきています [3]。今、設計者は、スペースを節約し、効率を向上し、システム・コストを削減するモノリシックのeGaNハーフブリッジ・デバイスのファミリーの最初のサンプルを入手できます。電力変換システムがマルチメガヘルツの領域に拡張すると同時に、ディスクリート・デバイスの集積化は、システムの効率と出力密度の向上のために一段と重要になります。

図11:ハーフブリッジEPC2103とEPC2105のバック・コンバータ全体の効率
V
IN = 48 V、 V
OUT = 12 V

図12:EPC2103のスイッチ・ノード波形で、V
IN = 48 VからV
OUT = 12 Vへの変換でI
OUT = 20 Aのときの立ち上がり時間は2.1 ns、降下時間は1.4 ns
参考文献:
- A. Lidow, J. Strydom, M. de Rooij, and D. Reusch, “GaN Transistors for Efficient Power Conversion, Second Edition,” J. Wiley, 2015.
- D. Reusch, J. Strydom, “Understanding the Effect of PCB Layout on Circuit Performance in a High Frequency Gallium Nitride Based Point of Load Converter,” APEC 2013, pp.649-655, 16-21 March 2013.
- https://epc-co.com/epc/jp/製品/gan-fetとic/Gen4eGaNFETs.aspx
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