統合されたGaNパワーのモノリシックeGaNハーフブリッジ

EPCは、eGaN製品、すなわち、統合されたハーフブリッジの新ファミリーを最初に発表できることを誇りに思っています。これらのモノリシックGaNデバイスは、ハーフブリッジ構成で接続された上側のFETと下側のFETを搭載し、いかなるMOSFETよりも、または、既存のディスクリートGaN FETよりも、高速、小型、高効率です。