EPCの最新世代のeGaN技術は、デバイスの面積が半分になった上で、特性が3倍になります。このコスト削減と特性向上は、eGaN®FETおよびICと、成熟したシリコン・パワーMOSFETとの間の性能とコストのギャップを拡大する「好循環」を作り出します。EPCの使命は、これまでも、そして依然として、同等のシリコンよりも高性能で、かつ低コストの製品を開発することです。2010年に製品化された当社の第1世代品は、この約束の最初の半分を成し遂げました。第4世代までに、コストのしきい値を超え、後ろを振り返ることはありません。今、この第5世代で、性能とコストの両面でさらにギャップを広げ、GaNがシリコンを粉砕するという私たちの主張を裏付けています。