信頼性レポート:フェーズ10

さまざまな用途でeGaN®デバイスの採用が急速に拡大しているため、信頼性統計の継続的な蓄積とGaNデバイスの不具合の基本的な物理に関する研究が求められています。このフェーズ10の信頼性レポートは、これまでの9本のレポート [1~9] で公開された拡大している知識ベースに加えて、重要な新しいトピックをいくつか含めています。

Alejandro Pozo博士、Shengke Zhang博士、Robert Strittmatter博士、Efficient Power Conversion Corporation

主なポイント

  • EPCのデバイスがAEC-Q101認定を取得しました。AEC-Q101は、パワーFETに最高レベルの信頼性を要求し、データシートの不具合ゼロだけでなく、ストレス・テスト中のパラメータのドリフトが小さいことも要求されます。AEC-Q101に合格すると、その基盤となる技術の信頼性の証明となります。
  • AEC-Q101を超えて! EPCは、3つの加速係数:(1)VIN、(2)温度、(3)スイッチング周波数に対するオン抵抗RDS(on)の増加として測定されるスイッチングの信頼性を調べるためのテスト・システムを開発しました。この結果=動的RDS(on)は、eGaN FETでは問題ありません。
  • ゲートの信頼性は、ゲートの漏れを継続的にモニターし、他のデバイス・パラメータ(VTHとIDSS)を定期的に記録できると同時に、直流ゲート・ストレス下での部品の集団をテスト可能なEPCが開発したテスト・システムを使って再検討されます。これによって、高いゲート・ストレス条件下でのデバイスの劣化を、より完全に把握することができます。この結果= eGaN FETゲートは、非常に耐久性があり信頼性があります。
  • EPCは、1800万時間以上にわたって3万個以上の部品にストレス・テストを実施し不具合がありませんでした。